[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】晶圓90、65奈米制程價(jià)格恐重力加速度下滑
近年來晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長率低于20%,明顯不若往年,晶圓代工業(yè)者亟思拓展多元產(chǎn)品線,以延續(xù)其成長動(dòng)力,臺(tái)積電將電源管理IC、感測組件、嵌入式內(nèi)存及CPU視
【導(dǎo)讀】晶圓90、65奈米制程價(jià)格恐重力加速度下滑
近年來晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長率低于20%,明顯不若往年,晶圓代工業(yè)者亟思拓展多元產(chǎn)品線,以延續(xù)其成長動(dòng)力,臺(tái)積電將電源管理IC、感測組件、嵌入式內(nèi)存及CPU視為未來新契機(jī),聯(lián)電執(zhí)行長胡國強(qiáng)2日亦表示,聯(lián)電將跨入內(nèi)存、CPU市場。業(yè)界推測臺(tái)積電、聯(lián)電均已鎖定超微(AMD)低階PC CPU為先期首要爭取對象,這恐將對超微目前代工伙伴新加坡特許(Chartered Semiconductor)產(chǎn)生一定程度沖擊。
在CPU領(lǐng)域方面,臺(tái)積電、聯(lián)電動(dòng)作相當(dāng)積極。臺(tái)積電總執(zhí)行長蔡力行日前指出,目前臺(tái)積電在45奈米制程表現(xiàn)來看,絕對足堪CPU制造,臺(tái)積電對CPU市場興趣很濃厚;胡國強(qiáng)則說,愈來愈多IDM采用Fabless或Fab-lite策略,這股勢力有助于聯(lián)電擴(kuò)展產(chǎn)品線,現(xiàn)正與客戶進(jìn)行互惠的合作關(guān)系。外界推測CPU外釋訂單較為彈性的超微(AMD)低階計(jì)算機(jī)CPU,將會(huì)是臺(tái)積電、聯(lián)電首波爭取的對象。
超微工程副總裁李新榮(Allen Lee)則指出,超微持續(xù)強(qiáng)化與晶圓代工關(guān)系,其中與特許合作65奈米制程可望于2007年中時(shí)完成;而超微合并亞鼎(ATI)后的新超微,亦與臺(tái)積電為首的晶圓代工維持90、80、65奈米制程制造合作。業(yè)者認(rèn)為臺(tái)積電、聯(lián)電亟欲從既有與超微繪圖芯片(GPU)合作關(guān)系切入CPU,若晶圓雙雄下一個(gè)市場競逐焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移至CPU市場,那么恐將分食特許訂單。
事實(shí)上,臺(tái)積電、聯(lián)電已經(jīng)先在內(nèi)存訂單上交過手,日前聯(lián)電爭取到臺(tái)積電多年客戶賽普拉斯(Cypress)65奈米制程訂單,目前已進(jìn)入合作開發(fā)階段;Spansion則采臺(tái)積電0.11微米、90奈米制程生產(chǎn)NOR Flash,臺(tái)積電南科12吋廠產(chǎn)量正不斷擴(kuò)增當(dāng)中,且雙方公布合作之前,業(yè)界曾盛傳聯(lián)電亦有意爭取Spansion青睞,但最后還是花落臺(tái)積電。
盡管臺(tái)積電、聯(lián)電對于既有內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的企圖心都很強(qiáng),但對外皆三緘其口。蔡力行指出,臺(tái)積電跨入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)絕不僅止于NOR Flash產(chǎn)品,目前已有幾個(gè)其它合作案,但仍不宜宣布;胡國強(qiáng)則說,相較于DRAM,F(xiàn)lash產(chǎn)品與邏輯IC制程兼容性較高,制程轉(zhuǎn)換較易,較可能成為填充產(chǎn)能(Fab filler)選項(xiàng)之一,但聯(lián)電2007年內(nèi)是否投入量產(chǎn)Flash,則不予置評。
不過,對于著重沖刺產(chǎn)能的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM,蔡力行就明言,臺(tái)積電肯定不會(huì)投入;胡國強(qiáng)也指出,內(nèi)存產(chǎn)業(yè)規(guī)則與邏輯IC截然不同,耗費(fèi)巨額投資、市場波動(dòng)又非常劇烈,近2季內(nèi)存產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)便逾6成,顯然其對晶圓專工步入游戲規(guī)則全然不同的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍不乏疑慮。
目前晶圓代工投入Flash最積極的就是中芯國際,中芯北京12吋廠部分生產(chǎn)DRAM,未來代管的武漢新芯將全數(shù)替爾必達(dá)(Elpida)生產(chǎn)70奈米以下制程DRAM;而上海12吋廠則是向以色列業(yè)者SaiFun技術(shù)授權(quán),擬投產(chǎn)NAND 型閃存(Flash)。中芯則是4家晶圓代工廠中,邏輯IC、內(nèi)存雙主軸最明確的廠商。
值得注意的是,由于內(nèi)存、CPU多采先進(jìn)制程,臺(tái)積電、聯(lián)電同時(shí)拓展此市場,難免再度替90、65奈米制程價(jià)格投下巨大變量,使原本制程價(jià)格呈現(xiàn)重力加速度下滑,抵銷掉部分爭取到新訂單的效益。
此外,臺(tái)積電、聯(lián)電要爭取超微CPU訂單,仍有技術(shù)障礙得克服。特許過去直接采用絕緣層上覆硅(Silicon-on-Insulator;SOI)技術(shù),但臺(tái)積電則選擇自行開發(fā)替代性SOI,并認(rèn)為目前SOI無法達(dá)成本效益;聯(lián)電則認(rèn)為,傳統(tǒng)CMOS(Bulk CMOS)仍較具成本效益,但未來SOI的重要性與日俱增,尤其在32奈米制程可能會(huì)是必要制程技術(shù)之一。
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NI
SE
TRACE
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