07年NAND閃存需求翻倍

時(shí)間：2014-06-09 14:04:18

關(guān)鍵字： NAND閃存 BSP 三星 Flash

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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】07年NAND閃存需求翻倍 4月20日，“Flashtopia by Samsung”大會(huì)在廣東深圳舉行。會(huì)上，三星半導(dǎo)體部門(mén)數(shù)位副總裁以及多名三星市場(chǎng)人士或工程師分別發(fā)表演講，向受邀的61家共計(jì)350余人次的客戶(hù)及代理

【導(dǎo)讀】07年NAND閃存需求翻倍       4月20日，“Flashtopia by Samsung”大會(huì)在廣東深圳舉行。會(huì)上，三星半導(dǎo)體部門(mén)數(shù)位副總裁以及多名三星市場(chǎng)人士或工程師分別發(fā)表演講，向受邀的61家共計(jì)350余人次的客戶(hù)及代理商人士介紹了三星的產(chǎn)品方案及最新技術(shù)，并對(duì)未來(lái)幾年的閃存市場(chǎng)的發(fā)展做出了分析和預(yù)測(cè)。
      這是三星首次舉辦以“Flashtopia”為主題的活動(dòng)。據(jù)介紹，去年三星成功研制40nm工藝的32Gbit NAND Flash產(chǎn)品時(shí)，提出了“Flashtopia”的概念，取義為“Flash Utopia”，即“閃存烏托邦”，意為用最新閃存技術(shù)創(chuàng)造完美的數(shù)字消費(fèi)生活。三星深圳分公司市場(chǎng)部人士透露，以“Flashtopia”為主題的會(huì)議將在未來(lái)的幾年連續(xù)舉辦，本次選擇深圳作為首屆會(huì)址，是因?yàn)槿A南地區(qū)聚集了許多三星的客戶(hù)，并擁有強(qiáng)大的制造實(shí)力。
“07年NAND閃存需求翻倍，供貨稍遜”
      三星對(duì)NAND市場(chǎng)持有相當(dāng)樂(lè)觀的態(tài)度，NAND產(chǎn)品部高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理J.J.KIM在演講時(shí)援引SEC Marketing的數(shù)據(jù)表示，2007年全球手機(jī)出貨量將超過(guò)10億臺(tái)，較06年增長(zhǎng)10%，由于i-Phone將在今年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，全球大手機(jī)廠商會(huì)對(duì)i-Phone全力阻擊，手機(jī)內(nèi)存容量將被提升至4GB以上，此舉將給NAND內(nèi)存市場(chǎng)帶來(lái)5%的增長(zhǎng)。
      另?yè)?jù)預(yù)測(cè)，2007年，便攜式多媒體終端設(shè)備（包括手持導(dǎo)航設(shè)備）出貨量將達(dá)到4100萬(wàn)部（2006年為2600萬(wàn)部），其中近7成將采用NAND閃存作為存儲(chǔ)方式，這將加大NAND閃存的市場(chǎng)需求，預(yù)計(jì)2008年之前，NAND的需求將比2007年第一季度翻倍。
      J.J.KIM同時(shí)表示，由于今年有些企業(yè)將部分精力轉(zhuǎn)移至DRAM，NAND晶圓生產(chǎn)能力的不足，以及基于多層單元（MLC）技術(shù)的NAND產(chǎn)品上市時(shí)間的一再延遲，將可能導(dǎo)致2007年下半年NAND閃存供貨無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的現(xiàn)象出現(xiàn)。
“MLC NAND產(chǎn)品從16Gbit開(kāi)始領(lǐng)先業(yè)界”
      三星在會(huì)上還展出了移動(dòng)處理器芯片的多種解決方案，以及基于NAND/Nor技術(shù)的產(chǎn)品，其中，曾在IIC China 2007展深圳站出現(xiàn)的“世界第一款”40nm工藝32Gbit NAND閃存和12英寸晶圓再次被展出。
      對(duì)于在計(jì)算機(jī)消費(fèi)產(chǎn)品上向來(lái)喜歡爭(zhēng)“World First”的三星而言，此次會(huì)議再次強(qiáng)調(diào)了該公司在內(nèi)存領(lǐng)域的地位。三星宣稱(chēng)在基于單層單元（SLC）技術(shù)的NAND產(chǎn)品上，領(lǐng)先對(duì)手一年，而對(duì)于被認(rèn)為是三星軟肋的基于多層單元（MLC）技術(shù)的NAND產(chǎn)品，三星亦表示自2007年第二季度以來(lái)，三星已憑借其51nm工藝16Gbit MLC技術(shù)領(lǐng)先所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
      三星NAND應(yīng)用工程師S.C.Kwon介紹，三星目前已經(jīng)做好了量產(chǎn)50nm 工藝NAND閃存的準(zhǔn)備，40nm工藝的產(chǎn)品有望在2008年第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。英特爾日前宣布將于2007年下半年實(shí)現(xiàn)50nm工藝 NAND閃存的量產(chǎn)，并將于2008年達(dá)到35nm工藝，這對(duì)于在NAND閃存領(lǐng)域領(lǐng)先的三星而言是否為一個(gè)威脅（三星預(yù)計(jì)2008年實(shí)現(xiàn)40nm工藝），該名工程師表示“我是工程師，不是市場(chǎng)人員，不便評(píng)價(jià)”。