三星80奈米DRAM制程轉(zhuǎn)換出問(wèn)題

【導(dǎo)讀】三星80奈米DRAM制程轉(zhuǎn)換出問(wèn)題
    緊急調(diào)用8吋廠0.11微米制程上場(chǎng)救援　市場(chǎng)供貨吃緊雪上加霜  

 　全球第一大DRAM制造商三星電子（Samsung Electronics）原預(yù)期在2006年第二季初，80奈米制程產(chǎn)品應(yīng)開(kāi)始小量供貨，但為了避免旺季來(lái)臨時(shí)，因80奈米制程轉(zhuǎn)換遇到瓶頸而喪失市場(chǎng)，三星臨時(shí)更換投片策略，將先行挪出8吋廠產(chǎn)能采用0.11微米制程來(lái)接棒，待需求轉(zhuǎn)弱時(shí)再投入80奈米制程量產(chǎn)；目前初步估計(jì)最快也要等到2007年第一季左右，80奈米制程才有產(chǎn)品產(chǎn)出，但可預(yù)期的是，全球DRAM市場(chǎng)將因三星的錯(cuò)估制程轉(zhuǎn)換順暢度而大受影響。 

    據(jù)了解，三星電子轉(zhuǎn)進(jìn)90奈米制程時(shí)間已幾乎長(zhǎng)達(dá)1～2年，且制造良率相當(dāng)穩(wěn)定，因此認(rèn)為要挺進(jìn)80奈米制程并非難事，原本估計(jì)2006年4月就會(huì)有比90奈米的C代產(chǎn)品更進(jìn)一階段，采用80奈米所制造的D代產(chǎn)品出現(xiàn)；不過(guò)，由于80奈米并非如當(dāng)初想象容易，導(dǎo)致4月起迄今僅能采90奈米制程投產(chǎn)DRAM。 

    但正因80奈米出現(xiàn)瓶頸，因此導(dǎo)致這部份原本所估算新增產(chǎn)能，到現(xiàn)在遲遲無(wú)法開(kāi)出，才會(huì)造成全球DRAM市場(chǎng)供貨持續(xù)處于吃緊狀態(tài)，而面對(duì)一連串市場(chǎng)需求旺季，三星立即做出決定，將改由8吋廠重?fù)?dān)重任，先用舊的0.11微米制程于8吋廠投產(chǎn)，而所生產(chǎn)商品則先稱之為D代商品，而接下來(lái)到80奈米時(shí)所生產(chǎn)商品，才會(huì)稱之為E代DRAM產(chǎn)品。 

    三星當(dāng)前雖有12吋晶圓廠，且也均已營(yíng)運(yùn)相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間，照理來(lái)說(shuō)如將0.11微米制程用在12吋廠應(yīng)無(wú)太大問(wèn)題，但由于當(dāng)下12吋廠大多已轉(zhuǎn)近90奈米制程，且更重要的在于12吋廠對(duì)于三星來(lái)說(shuō)大多需生產(chǎn)較高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之際三星根本無(wú)多余12吋廠產(chǎn)能可用于投產(chǎn)80奈米，因而才會(huì)選擇采用0.11微米制程投入8吋廠量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，不過(guò)眾所皆知這應(yīng)僅是在此趕工時(shí)間點(diǎn)的權(quán)宜之計(jì)。 

    DRAM廠指出，就連全球制程可說(shuō)是領(lǐng)先群雄的三星，到了80奈米制程似乎也有些許困難，也難怪其余DRAM廠在當(dāng)下無(wú)論是溝槽式（Trench）或堆棧式（Stack）的DRAM廠，在由90奈米制程進(jìn)入到70奈米制程時(shí)，也均遇上同樣問(wèn)題，造成近來(lái)全球DRAM市場(chǎng)供貨會(huì)如此吃緊。