美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(MicrosemiCorporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)推出全新碳化硅(SiliconCarbide,SiC)MOSFET產(chǎn)品系列─1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiCMOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案。

美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構YoleDéveloppement預計，從2015年至2020年，SiC功率半導體市場的同比增長率將達到39%，而且MarketResearch預計SiC半導體市場將于2022年達到53億美元，同比增長率38%。

新型SiCMOSFET器件

全新SiCMOSFET器件采用來自美高森美的專利技術，特別設計以幫助客戶開發(fā)在更高頻率下運行并提升系統(tǒng)效率的解決方案。

美高森美的專利SiCMOSFET技術特性包括：

-同級最佳的RDS(on)對比溫度

-超低柵極電阻，最大限度減小開關能耗

-出色的最大開關頻率

-卓越的穩(wěn)定性和出色的短路耐受性

美高森美功率產(chǎn)品組總經(jīng)理MarcVandenberg表示：“美高森美的1200VSiCMOSFET建立了全新的性能基準，我們利用公司內部的SiC制造能力，繼續(xù)擴大SiC產(chǎn)品組合，為客戶提供創(chuàng)新的大功率解決方案。”

美高森美的1200VSiCMOSFET器件的額定電阻為80mΩ和50mΩ，通過同時提供行業(yè)標準TO-247和SOT-227封裝，可為客戶提供更多的開發(fā)靈活性：

-APT40SM120B1200V、80mΩ、40A、TO-247封裝

-APT40SM120J1200V、80mΩ、40A、SOT-227封裝

-APT50SM120B1200V、50mΩ、50A、TO-247封裝

-APT50SM120J1200V、50mΩ、50A、SOT-227封裝

新型SiCMOSFET功率模塊

美高森美SiCMOSFET還可以集成進公司擴展的MOSFET功率模塊中，用于電池充電、航空航天、太陽能、焊接和其它大功率工業(yè)應用。新的功率模塊具有更高的工作頻率并提升了系統(tǒng)效率。要了解更多的信息，請訪問公司網(wǎng)頁www.microsemi.com/sicpowermodules。

新型1700V肖特基二極管

美高森美的SiCMOSFET器件也與公司完整的SiC肖特基二極管產(chǎn)品系列相輔相成，全新的1700VSiC肖特基二極管將產(chǎn)品線擴展至1200V和650V以上，這些產(chǎn)品設計使用出色的鈍化技術，在室外和潮濕應用中實現(xiàn)穩(wěn)健性。要了解更多的信息，請訪問公司網(wǎng)頁www.microsemi.com/sicdiodes。

供貨

美高森美現(xiàn)已提供采用TO-247封裝的新型1200VSiCMOSFET器件，并將于2014年7月提供SOT-227封裝型款，另外，現(xiàn)在也提供SiCMOSFET功率模塊和1700V肖特基二極管產(chǎn)品。要了解更多的信息或獲取產(chǎn)品樣品，請聯(lián)絡當?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表，或發(fā)送電郵至sales.support@microsemi.com，并可在公司網(wǎng)站www.microsemi.com獲取數(shù)據(jù)表。

關于美高森美公司

美高森美公司(MicrosemiCorporation,紐約納斯達克交易所代號：MSCC)為通信、國防與安全、航天與工業(yè)提供綜合性半導體與系統(tǒng)解決方案，產(chǎn)品包括高性能、耐輻射混合集成電路，可編程邏輯器件(FPGA)；可定制片上系統(tǒng)(SoC)與專用集成電路(ASIC)；功率管理產(chǎn)品；定時、同步設備以及精密定時解決方案為全球的定時設定標準；語音處理器件；RF解決方案；分立組件；安全技術和可擴展反篡改產(chǎn)品；以太網(wǎng)供電(PoE)IC與電源中跨(Midspan)產(chǎn)品；以及定制設計能力與服務。美高森美總部設于美國加利福尼亞州AlisoViejo，全球員工總數(shù)約3,400人。