安森美半導體領(lǐng)先業(yè)界的IGBT獲最佳功率元器件獎

時間：2014-06-03 09:19:00

關(guān)鍵字： IGBT 元器件安森美半導體 UPS

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[導讀]2014年5月28日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)獲中國主要半導體行業(yè)雜志之一的《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源技術(shù)及產(chǎn)品獎之功率元器件類最佳產(chǎn)品獎。這每年一度的獎

2014年5月28日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)獲中國主要半導體行業(yè)雜志之一的《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源技術(shù)及產(chǎn)品獎之功率元器件類最佳產(chǎn)品獎。這每年一度的獎項表彰六個不同類別的優(yōu)秀產(chǎn)品。

安森美半導體的高性能第二代場截止型(FSII) IGBT系列擴充了額定電流范圍，為不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電火鍋、電飯煲及微波爐等電源應用提供高能效、高速開關(guān)能力。獲獎器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有優(yōu)異的開關(guān)性能及更低的導電損耗，用于15至30 千赫茲(kHz)中等頻率工作的電磁加熱及軟開關(guān)應用。這些器件在大電流時提供極佳的強固性和優(yōu)異的導通狀態(tài)特性，根據(jù)系統(tǒng)要求經(jīng)過優(yōu)化，以提供更高能效及降低系統(tǒng)損耗。

安森美半導體的FSII IGBT技術(shù)進一步擴充，還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專門設(shè)計用于太陽能逆變器、UPS及變頻焊機應用。這些器件提供增強的熱性能，結(jié)點工作溫度范圍達-55到175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100 A。

安森美半導體提供高品質(zhì)及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車AEC-Q認證的IGBT量產(chǎn)已超過10年。2011年，公司開始開發(fā)新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長、持續(xù)需求高能效方案的工業(yè)及消費類市場。2012年，公司發(fā)布采用專有溝槽場截止型技術(shù)的首個完整IGBT產(chǎn)品系列，媲美同類技術(shù)。此次獲獎的FSII IGBT產(chǎn)品系列于2013年5月發(fā)布，進一步鞏固安森美半導體的技術(shù)領(lǐng)先者地位，現(xiàn)又獲得了《電子產(chǎn)品世界》讀者投票及專家評審小組的認可。