安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)界的IGBT獲最佳功率元器件獎(jiǎng)

時(shí)間：2014-06-03 09:19:00

關(guān)鍵字： IGBT 元器件安森美半導(dǎo)體 UPS

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[導(dǎo)讀]2014年5月28日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)獲中國(guó)主要半導(dǎo)體行業(yè)雜志之一的《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源技術(shù)及產(chǎn)品獎(jiǎng)之功率元器件類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。這每年一度的獎(jiǎng)

2014年5月28日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)獲中國(guó)主要半導(dǎo)體行業(yè)雜志之一的《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源技術(shù)及產(chǎn)品獎(jiǎng)之功率元器件類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。這每年一度的獎(jiǎng)項(xiàng)表彰六個(gè)不同類別的優(yōu)秀產(chǎn)品。

安森美半導(dǎo)體的高性能第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT系列擴(kuò)充了額定電流范圍，為不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電火鍋、電飯煲及微波爐等電源應(yīng)用提供高能效、高速開(kāi)關(guān)能力。獲獎(jiǎng)器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能及更低的導(dǎo)電損耗，用于15至30 千赫茲(kHz)中等頻率工作的電磁加熱及軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。這些器件在大電流時(shí)提供極佳的強(qiáng)固性和優(yōu)異的導(dǎo)通狀態(tài)特性，根據(jù)系統(tǒng)要求經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以提供更高能效及降低系統(tǒng)損耗。

安森美半導(dǎo)體的FSII IGBT技術(shù)進(jìn)一步擴(kuò)充，還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專門(mén)設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能逆變器、UPS及變頻焊機(jī)應(yīng)用。這些器件提供增強(qiáng)的熱性能，結(jié)點(diǎn)工作溫度范圍達(dá)-55到175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下的100 A。

安森美半導(dǎo)體提供高品質(zhì)及可靠IGBT的實(shí)力悠久，其中通過(guò)汽車AEC-Q認(rèn)證的IGBT量產(chǎn)已超過(guò)10年。2011年，公司開(kāi)始開(kāi)發(fā)新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長(zhǎng)、持續(xù)需求高能效方案的工業(yè)及消費(fèi)類市場(chǎng)。2012年，公司發(fā)布采用專有溝槽場(chǎng)截止型技術(shù)的首個(gè)完整IGBT產(chǎn)品系列，媲美同類技術(shù)。此次獲獎(jiǎng)的FSII IGBT產(chǎn)品系列于2013年5月發(fā)布，進(jìn)一步鞏固安森美半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)先者地位，現(xiàn)又獲得了《電子產(chǎn)品世界》讀者投票及專家評(píng)審小組的認(rèn)可。