碳納米管在相同尺寸上的性能超過硅晶體管

 硅基互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管已經(jīng)很難再繼續(xù)縮小下去，碳納米管是替代硅的候選納米材料之一，碳納米管晶體管的主要技術(shù)挑戰(zhàn)過去幾年已被陸續(xù)得到解決。中國北京大學(xué)的科學(xué)家開發(fā)出柵長(zhǎng)5納米的碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管，聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。他們的研究報(bào)告發(fā)表在今天出版的《科學(xué)》期刊上。研究人員報(bào)告，碳納米管晶體管比硅基晶體管操作速度更快，工作電壓更低。

論文通訊作者Lian-Mao Peng稱，碳納米管晶體管的柵電容更小，即使硅基設(shè)備縮小到碳納米管設(shè)備相同尺寸，后者的開關(guān)速度仍然更快。10納米碳納米管CMOS柵電容導(dǎo)致的延遲大約為70飛秒，僅為英特爾14納米硅基CMOS的三分之一。Peng預(yù)測(cè)，碳納米管電子產(chǎn)品有很好的機(jī)會(huì)到2022年取代硅基CMOS。