長江存儲(chǔ)增強(qiáng)公司專利池，嚴(yán)防“泄密賊”

 日前，臺(tái)積電工程師泄密事件引起人們廣泛關(guān)注，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)公司對此也更加謹(jǐn)慎。同時(shí)，全球的DRAM內(nèi)存、NAND閃存主要被三星、SK Hynix、美光、東芝等少數(shù)公司壟斷，國內(nèi)尚無廠商有能力染指存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，不過該領(lǐng)域已經(jīng)成為中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的突破口。

紫光公司收購了武漢新芯公司并在此基礎(chǔ)上成立了長江存儲(chǔ)科技，發(fā)力國產(chǎn)NAND閃存。該公司副總裁高啟全日前在采訪中表示長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存。

長江存儲(chǔ)的背景我們之前的文章中介紹過多次了，高啟全先后擔(dān)任過臺(tái)灣臺(tái)積電公司廠商、南亞公司副總、華亞科董事長，被稱為臺(tái)灣DRAM教父，2015年加盟紫光公司，現(xiàn)在擔(dān)任紫光旗下的長江存儲(chǔ)科技公司副總，主導(dǎo)長江公司發(fā)展DRAM、NAND存儲(chǔ)芯片事業(yè)。

這次采訪還是Digitimes報(bào)道的，他提到長江存儲(chǔ)公司將在2017年出樣32層NAND閃存，預(yù)計(jì)2019年有能力量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存。到了2020年，長江存儲(chǔ)將縮短與三星等國際長達(dá)的技術(shù)差距到2年時(shí)間。

長江存儲(chǔ)目前正在增強(qiáng)公司的專利池，他們自信在未來兩三年內(nèi)比一些競爭對手做的更好。

高啟全指出大陸與臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)樗麄兊淖畲蟾偁帉κ质琼n國公司。他稱臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上也沒有自己的專利技術(shù)，他們應(yīng)該考慮改變這個(gè)狀況。

大陸積極發(fā)展存儲(chǔ)芯片，必須要吸引更多人才加盟，為此不惜高薪從競爭對手那里挖人，這就涉及到另一個(gè)問題了——有些員工竊取前公司機(jī)密跳槽的新公司，最近TSMC公司就報(bào)案抓了一位工程師，而美光公司最近也加大了宣傳力度，將會(huì)對竊取商業(yè)機(jī)密的員工采取法律行動(dòng)。

對此高啟全表示指出長江存儲(chǔ)招聘員工時(shí)要求不能攜帶任何機(jī)密文檔及信息，他們的目標(biāo)是吸收人才加盟，絕不會(huì)允許員工竊取前公司的商業(yè)機(jī)密。

PS：對于國產(chǎn)3D NAND閃存進(jìn)展，此前長江存儲(chǔ)公司CEO楊士寧表示工廠的設(shè)備安裝會(huì)在2018年Q1季度完成，2019年進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。不過長江存儲(chǔ)目前只完成了32層堆棧的3D NAND閃存，首先量產(chǎn)的也是32層的，64層堆棧的3D NAND閃存應(yīng)該在研發(fā)中了，何時(shí)量產(chǎn)之前并沒有正式表態(tài)?？锤邌⑷谋響B(tài)，長江存儲(chǔ)在2019年也會(huì)開始量產(chǎn)64層堆棧閃存，雖然三星等廠商今年內(nèi)就會(huì)開始量產(chǎn)64層堆棧閃存，不過確實(shí)能把差距縮小到兩年左右了。