三星率先開(kāi)發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：?jiǎn)涡酒萘刻嶂?4GB

近日，三星電子宣布率先在業(yè)內(nèi)開(kāi)發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。

隨著集成電路規(guī)模的擴(kuò)大，如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn)，其中多芯片堆疊封裝被認(rèn)為是希望之星。三星稱，他們得以將12片DRAM芯片通過(guò)60000個(gè)TSV孔連接，每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。

總的封裝厚度為720μm，與當(dāng)前8層堆疊的HBM2存儲(chǔ)芯片相同，體現(xiàn)了極大的技術(shù)進(jìn)步。

這意味著，客戶不需要改動(dòng)內(nèi)部設(shè)計(jì)就可以獲得更大容量的芯片。同時(shí)，3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)間。

三星透露，基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲(chǔ)芯片將很快量產(chǎn)，單片容量從目前的8GB來(lái)到24GB。