英特爾挖角格芯CTO：“三分天下”的晶圓之戰(zhàn)開始發(fā)力

12月13日 訊 - 前幾日，英特爾的制造工藝路線被披露，雖然ASML擅自在路線圖中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的標(biāo)注，但總體2年一次更替的摩爾定律仍在進(jìn)行之中。

而在目前最新的消息顯示，英特爾（Intel）最近招攬了前格芯（GlobalFoundries）CTO、前IBM微電子業(yè)務(wù)主管Gary Patton博士。當(dāng)然，為了做好新的CPU/GPU架構(gòu)，Intel還批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批業(yè)界牛人。

目前來說，格芯已經(jīng)改變了投資策略，取消了7nm、5nm的工藝研發(fā)，專注進(jìn)行14/12nm方面工藝和專用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton這樣的人才仍然可以再一線研發(fā)對他來說是一件好事。

目前來說，在晶圓廠之戰(zhàn)已變?yōu)?ldquo;三分天下”的格局，這三家分別是英特爾、臺(tái)積電、三星。

英特爾方面，日前報(bào)道中爆料的2年一更新的制程之路來說，雖然這是一個(gè)烏龍事件，但這是第一個(gè)被ASML爆料出的1.4nm工藝。當(dāng)然，英特爾還強(qiáng)調(diào)了在每個(gè)流程節(jié)點(diǎn)之間，將會(huì)有迭代的+和++版本，以便從每個(gè)流程節(jié)點(diǎn)提取性能。但在EUV方面，仍然需要至2021年才會(huì)上EUV設(shè)備。

臺(tái)積電方面，眾所周知在EUV工藝上屬于“熟練掌握”的玩家，誠然晶圓廠在標(biāo)注制程方面通常也會(huì)使用一些技巧導(dǎo)致臺(tái)積電7nm工藝與英特爾10nm工藝性能并無二異。但單純從數(shù)字上面來看，目前臺(tái)積電已在5nm方面進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，3nm與2nm已提上了日程并且遠(yuǎn)比英特爾要早。不過有了之前的經(jīng)驗(yàn)，或許性能方面仍然不會(huì)有差別。

三星方面，則穩(wěn)扎穩(wěn)打，從14nm、10nm、7nm、3nm四個(gè)主要節(jié)點(diǎn)進(jìn)行規(guī)劃，而在3nm節(jié)點(diǎn)以后，三星要放棄FinFET轉(zhuǎn)向GAA晶體管，3GAE工藝和3GAP工藝的優(yōu)化改良之路還遠(yuǎn)矣。

摩爾定律的2年一更新仍然在持續(xù)之中，而如若走在在1nm制程以下，摩爾定律該如何繼續(xù)延續(xù)，這將成為一個(gè)嚴(yán)肅的問題。