20納米DRAM制程戰(zhàn)火點(diǎn)燃 三星、SK海力士將量產(chǎn)
[導(dǎo)讀]據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實(shí)，往次世代10奈米級(jí)DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也即將展開。沉寂一時(shí)的半導(dǎo)體制程微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)，再度點(diǎn)燃火焰。
半導(dǎo)體業(yè)者的奈米技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵在能以晶圓制造出多少電路集成度高的晶片。直徑30公分的基板上，能制造出200顆晶片還是400顆晶片，將決定生產(chǎn)性和獲利性差異。
半導(dǎo)體微細(xì)制程在2012年下半成功研發(fā)出25奈米DRAM制程后，在近1年6個(gè)月的期間幾乎是原地踏步的狀態(tài)。
在晶圓上形成超精密設(shè)計(jì)圖的曝光技術(shù)，為制程微細(xì)化關(guān)鍵。次世代曝光設(shè)備極紫外線微影(EUV)設(shè)備為每臺(tái)要價(jià)約1,000億韓元(約9,352萬美元)的高價(jià)設(shè)備，不可能每條產(chǎn)線都配置數(shù)十臺(tái)設(shè)備。這也使得曝光技術(shù)變成一個(gè)高門檻，半導(dǎo)體業(yè)者難以轉(zhuǎn)換到25奈米以下制程。
然而，三星電子以改良型雙重微影曝光技術(shù)，成功生產(chǎn)20奈米DRAM，逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)情勢(shì)。三星電子接著已跨入10奈米級(jí)DRAM前導(dǎo)研發(fā)，展現(xiàn)出滿滿的自信。
三星DS部門旗下記憶體事業(yè)部長金奇南，在2月就任南韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)長時(shí)表示，半導(dǎo)體技術(shù)沒有所謂的界限。微細(xì)制程將可發(fā)展到10奈米級(jí)。
而過去致力于架構(gòu)25奈米DRAM生產(chǎn)體系的SK海力士(SKHynix)，也期待在2014年下半投入20奈米制程量產(chǎn)。SK海力士內(nèi)部人員表示，20奈米DRAM研發(fā)作業(yè)進(jìn)行得相當(dāng)順利，下半年可望實(shí)現(xiàn)以20奈米制程生產(chǎn)DRAM。
外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange資料指出，以記憶體業(yè)者的微細(xì)制程比重來看，三星電子2013年第4季時(shí)28奈米DRAM占32%、25奈米DRAM占28%。SK海力士則以29奈米制程為主，生產(chǎn)比重占68%。整并了爾必達(dá)(Elpida)的美光(Micron)則以30奈米制程為主，生產(chǎn)比重達(dá)96%。
2014年第1季預(yù)估三星電子將轉(zhuǎn)以25奈米制程為主，比重為45%。但三星電子若照計(jì)劃投入20奈米量產(chǎn)，預(yù)估值將出現(xiàn)變化。
外電再以市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli資料指出，三星電子25奈米制程比重2014年第1季為10%、第2季為17%。SK海力士25奈米制程比重為第1季1%、第2季6%。SK海力士在2014年第4季時(shí)，25奈米制程比重將提升到26%。
另一方面，市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner指出，全球DRAM晶片市場(chǎng)規(guī)模2014年估計(jì)為379億美元，較2013年的356億美元成長6.5%。
360°：4Q13DRAM產(chǎn)業(yè)概況
2013年9月SK海力士(SKHynix)位于大陸無錫的廠房慘遭祝融，使得主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(SamsungElectronics)和美光(Micron)得利，2013年第4季市占率均增加。2014年三大記憶體廠不僅要拼制程技術(shù)的世代轉(zhuǎn)換，也力拼產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的最佳化組合和產(chǎn)能調(diào)配。
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2013年第4季三星電子市占率逼近4成大關(guān)，達(dá)39.1%，較第3季37.1%成長2個(gè)百分點(diǎn)，美光集團(tuán)更拉開與SK海力士差距，市占率達(dá)28.7%；SK海力士因?yàn)闊o錫廠祝融事件，直接沖擊全球市占率，從2013年第3季28.5%掉到第4季的23.8%。在SK海力士之后，分別為南亞科、華邦、力晶。
2013年第4季DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值為97.5億美元，較第3季成長5%，同時(shí)也是連續(xù)5季度DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長。
近期DRAM合約價(jià)在SK海力士無錫廠復(fù)工后開始反轉(zhuǎn)下跌，市場(chǎng)認(rèn)為是供需秩序恢復(fù)正常的征兆，但初期無錫廠的產(chǎn)能會(huì)有良率的問題，無法大量供應(yīng)給系統(tǒng)廠。無錫廠復(fù)工的確會(huì)使全球記憶體產(chǎn)能增加，是短期記憶體市場(chǎng)的變數(shù)，但拉長至2014年全年來看，預(yù)計(jì)DRAM報(bào)價(jià)波動(dòng)曲線不會(huì)太大，反映三大記憶體廠守住獲利的策略。
半導(dǎo)體業(yè)者的奈米技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵在能以晶圓制造出多少電路集成度高的晶片。直徑30公分的基板上，能制造出200顆晶片還是400顆晶片，將決定生產(chǎn)性和獲利性差異。
半導(dǎo)體微細(xì)制程在2012年下半成功研發(fā)出25奈米DRAM制程后，在近1年6個(gè)月的期間幾乎是原地踏步的狀態(tài)。
在晶圓上形成超精密設(shè)計(jì)圖的曝光技術(shù)，為制程微細(xì)化關(guān)鍵。次世代曝光設(shè)備極紫外線微影(EUV)設(shè)備為每臺(tái)要價(jià)約1,000億韓元(約9,352萬美元)的高價(jià)設(shè)備，不可能每條產(chǎn)線都配置數(shù)十臺(tái)設(shè)備。這也使得曝光技術(shù)變成一個(gè)高門檻，半導(dǎo)體業(yè)者難以轉(zhuǎn)換到25奈米以下制程。
然而，三星電子以改良型雙重微影曝光技術(shù)，成功生產(chǎn)20奈米DRAM，逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)情勢(shì)。三星電子接著已跨入10奈米級(jí)DRAM前導(dǎo)研發(fā)，展現(xiàn)出滿滿的自信。
三星DS部門旗下記憶體事業(yè)部長金奇南，在2月就任南韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)長時(shí)表示，半導(dǎo)體技術(shù)沒有所謂的界限。微細(xì)制程將可發(fā)展到10奈米級(jí)。
而過去致力于架構(gòu)25奈米DRAM生產(chǎn)體系的SK海力士(SKHynix)，也期待在2014年下半投入20奈米制程量產(chǎn)。SK海力士內(nèi)部人員表示，20奈米DRAM研發(fā)作業(yè)進(jìn)行得相當(dāng)順利，下半年可望實(shí)現(xiàn)以20奈米制程生產(chǎn)DRAM。
外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange資料指出，以記憶體業(yè)者的微細(xì)制程比重來看，三星電子2013年第4季時(shí)28奈米DRAM占32%、25奈米DRAM占28%。SK海力士則以29奈米制程為主，生產(chǎn)比重占68%。整并了爾必達(dá)(Elpida)的美光(Micron)則以30奈米制程為主，生產(chǎn)比重達(dá)96%。
2014年第1季預(yù)估三星電子將轉(zhuǎn)以25奈米制程為主，比重為45%。但三星電子若照計(jì)劃投入20奈米量產(chǎn)，預(yù)估值將出現(xiàn)變化。
外電再以市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli資料指出，三星電子25奈米制程比重2014年第1季為10%、第2季為17%。SK海力士25奈米制程比重為第1季1%、第2季6%。SK海力士在2014年第4季時(shí)，25奈米制程比重將提升到26%。
另一方面，市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner指出，全球DRAM晶片市場(chǎng)規(guī)模2014年估計(jì)為379億美元，較2013年的356億美元成長6.5%。
360°：4Q13DRAM產(chǎn)業(yè)概況
2013年9月SK海力士(SKHynix)位于大陸無錫的廠房慘遭祝融，使得主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(SamsungElectronics)和美光(Micron)得利，2013年第4季市占率均增加。2014年三大記憶體廠不僅要拼制程技術(shù)的世代轉(zhuǎn)換，也力拼產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的最佳化組合和產(chǎn)能調(diào)配。
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2013年第4季三星電子市占率逼近4成大關(guān)，達(dá)39.1%，較第3季37.1%成長2個(gè)百分點(diǎn)，美光集團(tuán)更拉開與SK海力士差距，市占率達(dá)28.7%；SK海力士因?yàn)闊o錫廠祝融事件，直接沖擊全球市占率，從2013年第3季28.5%掉到第4季的23.8%。在SK海力士之后，分別為南亞科、華邦、力晶。
2013年第4季DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值為97.5億美元，較第3季成長5%，同時(shí)也是連續(xù)5季度DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長。
近期DRAM合約價(jià)在SK海力士無錫廠復(fù)工后開始反轉(zhuǎn)下跌，市場(chǎng)認(rèn)為是供需秩序恢復(fù)正常的征兆，但初期無錫廠的產(chǎn)能會(huì)有良率的問題，無法大量供應(yīng)給系統(tǒng)廠。無錫廠復(fù)工的確會(huì)使全球記憶體產(chǎn)能增加，是短期記憶體市場(chǎng)的變數(shù)，但拉長至2014年全年來看，預(yù)計(jì)DRAM報(bào)價(jià)波動(dòng)曲線不會(huì)太大，反映三大記憶體廠守住獲利的策略。
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