HIS:硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額
據(jù)HIS的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2020年間復(fù)合年滲透增長率將會(huì)達(dá)到69%,屆時(shí)40%的氮化鎵LED將會(huì)以此工藝制造。今年95%的氮化鎵LED由藍(lán)寶石晶片制造,僅1%采用硅晶。硅基氮化鎵在2013-2020年間的增長將會(huì)攫取藍(lán)寶石及碳化硅晶片的市場份額。
“用藍(lán)寶石制造大塊的多晶硅塊比較困難,而采用硅基工藝可以制造從8英寸到12英寸不等的硅晶片,且通常造價(jià)更便宜種類更豐富?!盚IS照明與LED領(lǐng)域高級(jí)分析師DkinsCho稱。“目前有發(fā)達(dá)的硅基工業(yè)作為前導(dǎo),基于硅的生產(chǎn)可以制造規(guī)模效益,降低LED成本?!?BR>
生產(chǎn)設(shè)施再利用以適應(yīng)向硅基氮化鎵LED的轉(zhuǎn)變往往因投資較小而被接受。從前制造CMOS半導(dǎo)體已經(jīng)擁有傳統(tǒng)8英寸工藝,可以稍加改造從CMOS制造轉(zhuǎn)變?yōu)長ED。這些公司有內(nèi)部的專業(yè)知識(shí)以及基于硅的生產(chǎn)技術(shù)。
“與傳統(tǒng)LED廠商不同,許多CMOS半導(dǎo)體制造商都有良好的檢測工藝,”DkinsCho說?!斑@將有助于提高現(xiàn)場檢測良品率。但是改造不可能在一夜之間完成,我們認(rèn)為轉(zhuǎn)變將在未來幾年內(nèi)發(fā)生。”