混合硅準(zhǔn)備取代磷化銦 (InP) 光子芯片
[導(dǎo)讀]混合硅將會(huì)成為復(fù)雜光子集成電路的首選平臺(tái)嗎？2006年，美國加州大學(xué)（UCSB）和Intel公司的研究人員推出了世界上第一個(gè)電泵浦混合硅激光器。該器件利用了III-V族半導(dǎo)體的發(fā)光特性，并運(yùn)用成熟的CMOS工藝在硅晶圓上制
混合硅將會(huì)成為復(fù)雜光子集成電路的首選平臺(tái)嗎？
2006年，美國加州大學(xué)（UCSB）和Intel公司的研究人員推出了世界上第一個(gè)電泵浦混合硅激光器。該器件利用了III-V族半導(dǎo)體的發(fā)光特性，并運(yùn)用成熟的CMOS工藝在硅晶圓上制作激光器，從而為制造廉價(jià)的量產(chǎn)型硅制光學(xué)器件開啟了大門。
【前沿科技】混合硅準(zhǔn)備取代磷化銦(InP)光子芯片
7年的時(shí)間很快就過去了，許多人都認(rèn)為：混合硅光子技術(shù)革命如今已經(jīng)的的確確是萬事俱備了。業(yè)界開發(fā)出了各種各樣的混合器件，從激光源和光學(xué)放大器到高速調(diào)制器、波導(dǎo)和偏振組件，等等，不一而足，從而形成了光子集成電路(PIC)的構(gòu)件。UCSB已開發(fā)出了錐形模轉(zhuǎn)換器（taperedmodeconverter），以實(shí)現(xiàn)混合硅組件與無源絕緣體上硅襯底的集成，并采用量子阱混雜和芯片焊接以組合不同的帶隙組件和具有不同III-V外延堆垛（epitaxialstacks）的器件。
在整個(gè)業(yè)界，重要的混合集成電路包括高集成度發(fā)送器、光相位陣列和光分組交換器。而頭條新聞則涵蓋了Intel的50Gbit/s硅鏈路、Luxtera公司的“millionth”芯片，以及imec在300mm硅晶圓上制作組件等。鑒于上述公司和其他的主要廠商(從IBM到UCSB的分拆公司Aurrion)都急于使硅芯片“大放異彩”，UCSB的光電子研究小組的MartijnHeck認(rèn)為現(xiàn)在所取得的種種突破僅僅是開始。
“[實(shí)現(xiàn)這些組件之集成化的]希望一直存在，但我們?nèi)缃裉岣吡肆悸剩瑫r(shí)特別關(guān)注性能和加工工藝，”他說?！昂馨舻囊稽c(diǎn)是，我們現(xiàn)在能夠把組件連接在一起并制作此類高性能、高功能性的光子集成電路?！边@種激動(dòng)人心的進(jìn)展速度無法不讓人印象深刻，但是InPPIC仍然具有非常多的優(yōu)勢。Infinera公司目前正在出售采用500Gbit/sPIC構(gòu)建的光學(xué)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)，并于近期演示了一款10Tbit/sPIC。但是，這可能很快有所改變嗎？
最近，Heck和同事們繪制了一幅圖，其描繪了InP和混合硅芯片復(fù)雜性（以每顆芯片所包含的組件數(shù)目來衡量）的發(fā)展?fàn)顩r。毫無疑問，基于InP的單片式集成在過去的20年里其復(fù)雜性呈指數(shù)性增長，不過據(jù)研究人員說，混合硅PIC正在快速地步前者之后塵。Heck認(rèn)為，三個(gè)主要的推動(dòng)力對于技術(shù)的迅速變革起到了決定性的作用。
“首先，我們基于成熟的III-V半導(dǎo)體工藝；我們接受了現(xiàn)有的知識(shí)并將之應(yīng)用在硅襯底上，”他說。“例如，我們現(xiàn)在可以制作70GHz甚至更快的調(diào)制器……這表明我們在組件方面所取得的進(jìn)步是非常巨大的?！逼浯危凑誋eck的說法，混合硅PIC至少在部分工藝流程中利用了成熟的CMOS制造基礎(chǔ)架構(gòu)。第三，他補(bǔ)充說：“業(yè)界的接受速度非?？臁ntel、HP和其他的公司正就此展開相關(guān)的工作，而歐洲的研究活動(dòng)也十分紅火。人們認(rèn)識(shí)到了此項(xiàng)技術(shù)所蘊(yùn)含的巨大潛力?！?BR>
而且，盡管混合硅與InP之間的差距仍然很大—在一顆硅PIC上可集成幾十個(gè)組件，而在同等尺寸的InPPIC上則能集成幾百個(gè)組件—但即將來臨的數(shù)據(jù)洪流（datadeluge）卻有可能推動(dòng)這一改變。未來的Tbit/s級數(shù)據(jù)通信和互連應(yīng)用將需要大量的高集成度PIC。另外，憑借其300mm硅襯底以及可兼容CMOS的制造工藝，混合硅可提供遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于InP型PIC的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益。Heck堅(jiān)信未來的數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用將促進(jìn)混合硅光子組件集成的發(fā)展，并且回顧了近期由UCSB的能效研究所（InstituteofEnergyEfficiency）牽頭舉辦的一次圓桌活動(dòng)，這次活動(dòng)研究了未來的數(shù)據(jù)中心將如何應(yīng)付數(shù)據(jù)需求。
“主要公司[比如Intel、Cisco、HP、AMD等]的所有熱門事件（hot-shots）都在這里了，而在他們的工作計(jì)劃清單上排在首位的都是光子集成，”他說。“就集成而言，我們都知道其步伐將增大。Intel和其他公司已經(jīng)行動(dòng)起來了……不錯(cuò)，這是有點(diǎn)投機(jī)和冒險(xiǎn)，但常識(shí)告訴我們它將會(huì)發(fā)生?！?BR>
2006年，美國加州大學(xué)（UCSB）和Intel公司的研究人員推出了世界上第一個(gè)電泵浦混合硅激光器。該器件利用了III-V族半導(dǎo)體的發(fā)光特性，并運(yùn)用成熟的CMOS工藝在硅晶圓上制作激光器，從而為制造廉價(jià)的量產(chǎn)型硅制光學(xué)器件開啟了大門。
【前沿科技】混合硅準(zhǔn)備取代磷化銦(InP)光子芯片
7年的時(shí)間很快就過去了，許多人都認(rèn)為：混合硅光子技術(shù)革命如今已經(jīng)的的確確是萬事俱備了。業(yè)界開發(fā)出了各種各樣的混合器件，從激光源和光學(xué)放大器到高速調(diào)制器、波導(dǎo)和偏振組件，等等，不一而足，從而形成了光子集成電路(PIC)的構(gòu)件。UCSB已開發(fā)出了錐形模轉(zhuǎn)換器（taperedmodeconverter），以實(shí)現(xiàn)混合硅組件與無源絕緣體上硅襯底的集成，并采用量子阱混雜和芯片焊接以組合不同的帶隙組件和具有不同III-V外延堆垛（epitaxialstacks）的器件。
在整個(gè)業(yè)界，重要的混合集成電路包括高集成度發(fā)送器、光相位陣列和光分組交換器。而頭條新聞則涵蓋了Intel的50Gbit/s硅鏈路、Luxtera公司的“millionth”芯片，以及imec在300mm硅晶圓上制作組件等。鑒于上述公司和其他的主要廠商(從IBM到UCSB的分拆公司Aurrion)都急于使硅芯片“大放異彩”，UCSB的光電子研究小組的MartijnHeck認(rèn)為現(xiàn)在所取得的種種突破僅僅是開始。
“[實(shí)現(xiàn)這些組件之集成化的]希望一直存在，但我們?nèi)缃裉岣吡肆悸剩瑫r(shí)特別關(guān)注性能和加工工藝，”他說?！昂馨舻囊稽c(diǎn)是，我們現(xiàn)在能夠把組件連接在一起并制作此類高性能、高功能性的光子集成電路?！边@種激動(dòng)人心的進(jìn)展速度無法不讓人印象深刻，但是InPPIC仍然具有非常多的優(yōu)勢。Infinera公司目前正在出售采用500Gbit/sPIC構(gòu)建的光學(xué)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)，并于近期演示了一款10Tbit/sPIC。但是，這可能很快有所改變嗎？
最近，Heck和同事們繪制了一幅圖，其描繪了InP和混合硅芯片復(fù)雜性（以每顆芯片所包含的組件數(shù)目來衡量）的發(fā)展?fàn)顩r。毫無疑問，基于InP的單片式集成在過去的20年里其復(fù)雜性呈指數(shù)性增長，不過據(jù)研究人員說，混合硅PIC正在快速地步前者之后塵。Heck認(rèn)為，三個(gè)主要的推動(dòng)力對于技術(shù)的迅速變革起到了決定性的作用。
“首先，我們基于成熟的III-V半導(dǎo)體工藝；我們接受了現(xiàn)有的知識(shí)并將之應(yīng)用在硅襯底上，”他說。“例如，我們現(xiàn)在可以制作70GHz甚至更快的調(diào)制器……這表明我們在組件方面所取得的進(jìn)步是非常巨大的?！逼浯危凑誋eck的說法，混合硅PIC至少在部分工藝流程中利用了成熟的CMOS制造基礎(chǔ)架構(gòu)。第三，他補(bǔ)充說：“業(yè)界的接受速度非?？臁ntel、HP和其他的公司正就此展開相關(guān)的工作，而歐洲的研究活動(dòng)也十分紅火。人們認(rèn)識(shí)到了此項(xiàng)技術(shù)所蘊(yùn)含的巨大潛力?！?BR>
而且，盡管混合硅與InP之間的差距仍然很大—在一顆硅PIC上可集成幾十個(gè)組件，而在同等尺寸的InPPIC上則能集成幾百個(gè)組件—但即將來臨的數(shù)據(jù)洪流（datadeluge）卻有可能推動(dòng)這一改變。未來的Tbit/s級數(shù)據(jù)通信和互連應(yīng)用將需要大量的高集成度PIC。另外，憑借其300mm硅襯底以及可兼容CMOS的制造工藝，混合硅可提供遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于InP型PIC的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益。Heck堅(jiān)信未來的數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用將促進(jìn)混合硅光子組件集成的發(fā)展，并且回顧了近期由UCSB的能效研究所（InstituteofEnergyEfficiency）牽頭舉辦的一次圓桌活動(dòng)，這次活動(dòng)研究了未來的數(shù)據(jù)中心將如何應(yīng)付數(shù)據(jù)需求。
“主要公司[比如Intel、Cisco、HP、AMD等]的所有熱門事件（hot-shots）都在這里了，而在他們的工作計(jì)劃清單上排在首位的都是光子集成，”他說。“就集成而言，我們都知道其步伐將增大。Intel和其他公司已經(jīng)行動(dòng)起來了……不錯(cuò)，這是有點(diǎn)投機(jī)和冒險(xiǎn)，但常識(shí)告訴我們它將會(huì)發(fā)生?！?BR>
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