中低壓變頻器市場爭奪，IGBT等核心器件研發(fā)能力成籌碼

變頻器市場中，高壓變頻器一直占據(jù)重要位置，而低壓變頻器則增長緩慢，但從2011年起，低壓變頻器一改低迷態(tài)勢，以30%加速發(fā)展的高姿態(tài)呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。

我國變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展與發(fā)達(dá)國家相比還不夠成熟，中高端變頻器市場目前被國外品牌所占據(jù)。而我國變頻器發(fā)展未來爭奪的主戰(zhàn)場將落到中低壓變頻器領(lǐng)域。變頻器行業(yè)的發(fā)展，也對(duì)變頻器核心電子器件提出了的新的要求和挑戰(zhàn)。

從原來的SCR、BJT、SITH、MGT以及MCT等，變頻器的核心電子器件逐漸發(fā)展為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)等。核心電子器件的發(fā)展，不僅為變頻器帶來了更廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)也使得如IGBT等核心電子器件市場迅速發(fā)展起來。

未來變頻器企業(yè)想要在市場中占據(jù)領(lǐng)先地位，就必須具備IGBT等核心器件的研制能力，才能夠真正獲得發(fā)展和競爭力。