采用TurboFET技術(shù)的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 

這次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK® 1212-8 封裝，可為此額定電壓的設(shè)備提供業(yè)界最低的導通電阻與柵極電荷乘積。對于 SiS426DN 而言，直流到直流轉(zhuǎn)換器中針對 MOSFET 的此關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM) 在 4.5V 時為 76.6 mΩ-nC，而在 10 V 時為 117.60 mΩ-nC；它在 4.5V 柵極驅(qū)動時典型柵極電荷低至 13.2 nC，在 10V 柵極驅(qū)動時低至 28 nC。與最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時柵極電荷分別降低 45% 與 36%，F(xiàn)OM 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時更有效的切換，尤其是可讓設(shè)計人員選擇以更高的頻率工作，從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。

Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封裝的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封裝的 Si7784DP。兩款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 時典型柵極電荷分別為 13.7 nC 和 30 nC，且在 4.5V 和 10V 時導通電阻與柵極電荷乘積 FOM 分別為 112.34 mΩ-nC 和 180 mΩ-nC。采用 PowerPAK SO-8 封裝的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大電流應用。日前推出的所有器件均無鹵素，且 100% 通過 Rg 和 UIS 測試。

這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端 MOSFET，通過使用負載點 (POL) 功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務器及其他系統(tǒng)的功耗。


器件規(guī)格表：

型號	SiS426DN	SiR496DP	Si7718DN	Si7784DP
封裝	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8	PowerPAK 1212-8	PowerPAK SO-8
VDS	20		30
RDS（在 4.5 V 時）	5.8 mΩ		8.2 mΩ
RDS（在 10 V 時）	4.2 mΩ		6 mΩ
典型 QG（在 4.5 V 時）	13.2 nC		13.7 nC
典型 QG（在 10 V 時）	28 nC		30 nC
RDS(on) x QG @ VGS = 4.5 V	76.6 mΩ-nC		112.34 mΩ-nC
RDS(on) x QG @ VGS = 10 V	117.6 mΩ-nC		180 mΩ-nC

目前，采用 TurboFET 技術(shù)的第三代功率 MOSFET 可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。