全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列(IR)
新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A,比典型封裝電流額定值高出60%。新款MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,7 管腳D2PAK封裝的電流額定值達(dá)到240A的卓越水平,使它成為市場(chǎng)上最耐用的表面貼裝封裝之一。這種7管腳D2PAK封裝比D2PAK封裝具更低的RDS (on) 。
IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“這些封裝提供的更高電流額定值有助于利用不需要的瞬態(tài)提供更多防護(hù)頻帶,而且還能讓數(shù)枚MOSFET分享高電流的平行式拓?fù)涞靡詼p少器件數(shù)目?!?
全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的電壓,并達(dá)到工業(yè)級(jí)別及濕度敏感度第一階(MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)。新器件均不含鉛及符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
產(chǎn)品基本規(guī)格如下:
器件編號(hào) | 通道 類(lèi)型 | Bvdss | RDS(on) (mΩ) | 在25ºC 下Id (A) | Qg (nC) | 封裝 |
N | 60 | 2.5 | 195* | 200 | TO-220 | |
N | 60 | 2.5 | 195* | 200 | D2PAK | |
N | 60 | 2.1 | 240* | 200 | D2PAK-7 | |
N | 75 | 3.0 | 195* | 160 | D2PAK | |
N | 75 | 2.6 | 240* | 160 | D2PAK-7 | |
N | 100 | 4.7 | 180 | 143 | D2PAK | |
N | 100 | 4.0 | 190 | 150 | D2PAK-7 | |
N | 150 | 11 | 104 | 77 | TO-220 | |
N | 150 | 12.1 | 99 | 77 | D2PAK | |
N | 150 | 11.8 | 105 | 73 | D2PAK-7 | |
N | 200 | 20 | 76 | 100 | TO-220 | |
N | 200 | 22 | 72 | 100 | D2PAK |
* 封裝限制
新款MOSFET系列已經(jīng)開(kāi)始供貨。