意法半導(dǎo)體(ST)推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管,導(dǎo)通電阻僅為2毫歐(最大值),新產(chǎn)品可提高計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的能效。
采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET VI DeepGATE制造工藝,單元密度提高,以有效芯片尺寸對比,新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最佳的導(dǎo)通電阻RDS(ON),比上一代產(chǎn)品改進(jìn)大約20個百分點(diǎn),開關(guān)穩(wěn)壓器和直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)因此可以使用小尺寸的貼裝功率封裝。這項(xiàng)技術(shù)還得益于本身既有的低柵電荷量特性,這項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)讓設(shè)計(jì)人員可以使用高開關(guān)頻率,在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中選用尺寸更小的無源器件,如電感和電容。
意法半導(dǎo)體新30V表面貼裝功率晶體管產(chǎn)品提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括SO-8、DPAK、5×6mm PowerFLAT、3.3×3.3mm PowerFLAT、PolarPAK?、通孔IPAK和SOT23-6L,兼容現(xiàn)有的焊盤/引腳布局,同時還能提高能效和功率密度。這一特性使意法半導(dǎo)體的STripFET VI DeepGATE產(chǎn)品系列可以創(chuàng)造出最大的市場機(jī)遇。
首批采用新工藝的產(chǎn)品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6兩款產(chǎn)品。STL150N3LLH6采用5×6mm PowerFLAT封裝,單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON)達(dá)到市場最低水平;STD150N3LLH6采用DPAK封裝,導(dǎo)通電阻 RDS(ON)為2.4毫歐。
兩款產(chǎn)品的樣片都已上市,計(jì)劃2009年6月開始量產(chǎn)。