IR推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

21ic訊 國際整流器公司 (簡稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET® MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個封裝上都配備了一對功率MOSFET， 提供共汲極和半橋拓?fù)涞撵`活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術(shù) (N和P) 來實現(xiàn)超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內(nèi)，配備了兩個典型導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 均為33mΩ的MOSFET。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新型PQFN雙器件適用于開關(guān)和直流應(yīng)用，為客戶提供高密度、低成本的解決方案。如今，IR新增了這些封裝，能夠提供一系列低壓PQFN產(chǎn)品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驅(qū)動能力達(dá)到4.5V或2.5V的器件，以及單器件或雙器件，它們都擁有極低的導(dǎo)通電阻。”

這個雙PQFN系列包括專為高側(cè)負(fù)荷開關(guān)優(yōu)化的P通道器件，可提供更為簡便的驅(qū)動解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)相兼容，并且擁有符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的占位空間，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定  (RoHS) 。