Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET

時(shí)間：2013-01-14 13:14:30

關(guān)鍵字： Vishay TRENCHFET 功率MOSFET 導(dǎo)通電阻

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[導(dǎo)讀]21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT®封裝。

在智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中，日前推出的器件將用于電池和負(fù)載切換。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間，實(shí)現(xiàn)超薄的外形，讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，而且器件的低導(dǎo)通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，從而降低能耗，延長(zhǎng)兩次充電間的電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還意味著在負(fù)載開關(guān)上的壓降更低，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。

對(duì)于導(dǎo)通電阻比空間更重要的應(yīng)用場(chǎng)合，8V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和23mΩ。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm CSP封裝。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的Si8466EDB 8V N溝道MOSFET在4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為43mΩ，將用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場(chǎng)合。Si8466EDB的典型ESD保護(hù)達(dá)到3000V。

Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2V電壓下導(dǎo)通，可與手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓配合工作，省掉電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。

Si8466EDB、Si8424CDB和Si8425DB是MICRO FOOT家族的最新成員。

器件規(guī)格表：

導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET" width="458" height="248" />

新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。