應(yīng)用材料公司推出全新PVD沉積系統(tǒng)，實現(xiàn)高成本效益的3D芯片垂直集成

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司今天宣布推出Endura® Ventura™ PVD 系統(tǒng)。該系統(tǒng)沿襲了應(yīng)用材料公司在業(yè)界領(lǐng)先的PVD技術(shù)，并融入了公司最新創(chuàng)新成果，能夠完成連續(xù)薄的阻擋層和種子層的硅通孔(TSV)沉積，幫助客戶以更低廉的成本制造出體積更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系統(tǒng)還與眾不同地采用鈦作為阻隔材料，從而在量產(chǎn)的情況下很好的實現(xiàn)降低成本的目的，展現(xiàn)了應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)。Ventura系統(tǒng)的推出進(jìn)一步完善了應(yīng)用材料公司的硅片級封裝(WLP)設(shè)備產(chǎn)品線，適用于硅通孔、再分布層(RDL)和凸點等各類應(yīng)用。

TSV是垂直制造體積更小、功耗更低的移動和高帶寬器件中的關(guān)鍵技術(shù)。通孔是垂直穿過硅片的短互聯(lián)通道，可將器件的有源側(cè)連接到硅片的背面，是多個芯片間連接的最短互連路徑。集成3D堆疊器件需要將10:1以上深寬比的TSV進(jìn)行銅互連。利用創(chuàng)新的材料和先進(jìn)的沉積技術(shù)，全新的Ventura設(shè)備可有效解決這一問題，從而較先前的行業(yè)解決方案能更顯著的降低TSV制造成本。

應(yīng)用材料公司副總裁兼金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理 Sundar Ramamurthy博士介紹道：“憑借應(yīng)用材料公司在銅互連技術(shù)領(lǐng)域超過15年的領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗，Ventura 系統(tǒng)能生產(chǎn)出可靠的高深寬比硅通孔，與銅互連PVD系統(tǒng)相比，可使阻擋層和種子層成本降低多達(dá)50%。這些創(chuàng)新成果可以幫助我們更顯著的提高產(chǎn)品性能和功能，實現(xiàn)功耗更低、更緊湊的芯片封裝，從而進(jìn)一步滿足最尖端的技術(shù)需求。該款全新的PVD系統(tǒng)已獲得客戶認(rèn)可，并將逐步用于大規(guī)模生產(chǎn)中。”

Ventura系統(tǒng)采用更先進(jìn)的離子化PVD技術(shù)，進(jìn)一步提高阻擋層和種子層的完整性，這對芯片的孔隙填充和互連尤為重要，從而能夠有效提高3D芯片的良率。此外，這些技術(shù)上的新突破能夠顯著改善離子的方向性，可在硅通孔中完成均勻連續(xù)的薄的金屬層沉積，從而實現(xiàn)TSV所需的無空隙填充。由于方向性的改善，沉積速率得以大幅提高，阻擋層材料和種子層材料的用量顯著減少。此外，Ventura系統(tǒng)采用鈦作為阻擋層材料，以期提高設(shè)備穩(wěn)定性，降低TSV金屬化過程中的整體持有成本。