TDK推出電容器CeraLink™ – 用于轉換器的緊湊型解決方案

21ic訊 TDK集團最近發(fā)布了新一代愛普科斯 (EPCOS) CeraLink™，該產(chǎn)品能為基于SiC-和GaN-半導體的快速開關轉換器的緩沖和直流鏈路提供極其緊湊的解決方案。這些新型電容器基于陶瓷材料PLZT(鋯鈦酸鉛鑭)。與傳統(tǒng)的陶瓷電容器相比，CeraLink在施加應用電壓下能達到其最大的電容值，這種電容隨電壓相應增加的特性能更好的控制紋波電壓。CeraLink系列體積最小的一款是SMD低剖面型號，尺寸僅為4.25 mm x 7.85 mm x 10.84 mm，額定電壓為500 V DC，電容值為1µF。另外，還有一款配置了焊針壓接型號也面市，該電容容值為20-µF，額定電壓為500 V DC，尺寸為33.00 mm x 22.00 mm x 11.50 mm。兩種型號的ESL值都極低，小于3.5nH。該系列電容器采用專業(yè)設計，工作溫度范圍為-40至+125 °C，短時間甚至能耐受高達150 °C的高溫。由于尺寸緊湊，CeraLink SMD低剖面型電容器的一大優(yōu)勢便是可嵌入到IGBT模塊，最大限度降低了電感值，因此在半導體器件開通關斷工作時，不會產(chǎn)生明顯的過壓。

此外，我們可提供兩種以上型號的樣品：SMD型號的額定電壓為500 V DC，電容值為5µF，尺寸為3.25 mm x 14.26 mm x 9.35 mm;配置了焊針壓接型號的額定電壓為1000 V DC，電容值為5µF，尺寸為33.00 mm x 22.00 mm x 11.50 mm。主要應用用于SiC 和GaN電源半導體的Snubber電路和DC-link電路

主要特點和效益ESL值極低，小于3.5 nH

工作溫度范圍：-40 °C 至+125 °C，可耐受高達+150 °C的瞬態(tài)高溫

額定電壓為500和1000 V DC

電容值為1µF、5µF和20µF

可嵌入到IGBT模塊