ARM發(fā)布全新CPU Cortex-A35：64位 超低功耗

ARM今天宣布了一顆全新設計的CPU Cortex-A35，定位于低功耗的低端手機、可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)等領域。從這張圖上就可以清晰地看到A35的位置：它也是基于ARMv8-A 64位架構的，但被放置在Cortex-A53的下邊，取代對象則是32位的Cortex-A7/A5兩個老核心。

ARM宣稱，A35是其有史以來能效最高的處理器，目標功耗不超過125毫瓦，而且已經(jīng)在28nm工藝、1GHz頻率下做到了90毫瓦，因此采用16/14nm工藝的話，可以在保持功耗不變甚至更低的前提下，輕松超過2GHz。

它還可以和A53、A57、A72等大核心搭配，組成big.LITTLE混合架構系統(tǒng)，進一步提升系統(tǒng)能效。

A35在架構上和A53、A7類似還是順序有限雙發(fā)射設計，8級流水線，但是精心優(yōu)化改進了每一個模塊，甚至融入了A72上的而一些最新元素，性能和能效都大幅度提升。

尤其是在前端，A35重新設計了指令預取單元，提升了分支預測精度，指令預取帶寬更加平衡，指令隊列也更小了。

它還采用了A53的緩存、內(nèi)存架構，可配置8-64KB一級指令和數(shù)據(jù)緩存、128KB-1MB二級緩存，加入了NEON/FP單元，改進了存儲性能，支持完整流水線的雙精度乘法，還為CPU核心、NEON流水線都配備了硬件保留狀態(tài)(獨立電源域)以提升電源管理效率。

ARM宣稱，在同樣的工藝、頻率下，A35的功耗可比A7低大約10%，同時性能提升6-40%，尤其是在浮點工作中。

而對比A53，它可以保留80-100%的性能，但是功耗降低32%、面積縮小25%，能效提升25%。

在28nm工藝、四核心、32KB一級緩存、1MB二級緩存、NEON和加密單元的高配置下，A35處理器的面積大約是4平方毫米，而如果做成單核心、8KB一級緩存、無二級緩存和NEON/加密單元，則能小于0.4平方毫米。

A35核心已經(jīng)有多家廠商簽署授權，首批設備預計2016年底面世。