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[導(dǎo)讀]ARM今天宣布了一顆全新設(shè)計的CPU Cortex-A35,定位于低功耗的低端手機(jī)、可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。從這張圖上就可以清晰地看到A35的位置:它也是基于ARMv8-A 64位架構(gòu)的,但被放置在Cortex-A53的下邊,取代對象則是32

ARM今天宣布了一顆全新設(shè)計的CPU Cortex-A35,定位于低功耗的低端手機(jī)、可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。從這張圖上就可以清晰地看到A35的位置:它也是基于ARMv8-A 64位架構(gòu)的,但被放置在Cortex-A53的下邊,取代對象則是32位的Cortex-A7/A5兩個老核心。

 

 

ARM宣稱,A35是其有史以來能效最高的處理器,目標(biāo)功耗不超過125毫瓦,而且已經(jīng)在28nm工藝、1GHz頻率下做到了90毫瓦,因此采用16/14nm工藝的話,可以在保持功耗不變甚至更低的前提下,輕松超過2GHz。

它還可以和A53、A57、A72等大核心搭配,組成big.LITTLE混合架構(gòu)系統(tǒng),進(jìn)一步提升系統(tǒng)能效。

 

 

A35在架構(gòu)上和A53、A7類似還是順序有限雙發(fā)射設(shè)計,8級流水線,但是精心優(yōu)化改進(jìn)了每一個模塊,甚至融入了A72上的而一些最新元素,性能和能效都大幅度提升。

尤其是在前端,A35重新設(shè)計了指令預(yù)取單元,提升了分支預(yù)測精度,指令預(yù)取帶寬更加平衡,指令隊列也更小了。

它還采用了A53的緩存、內(nèi)存架構(gòu),可配置8-64KB一級指令和數(shù)據(jù)緩存、128KB-1MB二級緩存,加入了NEON/FP單元,改進(jìn)了存儲性能,支持完整流水線的雙精度乘法,還為CPU核心、NEON流水線都配備了硬件保留狀態(tài)(獨立電源域)以提升電源管理效率。

 

ARM宣稱,在同樣的工藝、頻率下,A35的功耗可比A7低大約10%,同時性能提升6-40%,尤其是在浮點工作中。

 

而對比A53,它可以保留80-100%的性能,但是功耗降低32%、面積縮小25%,能效提升25%。

 

在28nm工藝、四核心、32KB一級緩存、1MB二級緩存、NEON和加密單元的高配置下,A35處理器的面積大約是4平方毫米,而如果做成單核心、8KB一級緩存、無二級緩存和NEON/加密單元,則能小于0.4平方毫米。

A35核心已經(jīng)有多家廠商簽署授權(quán),首批設(shè)備預(yù)計2016年底面世。

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