英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。
基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅(qū)動應用、電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成本和效率原因，整個行業(yè)都開始轉(zhuǎn)向溝槽設計。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術相對于以往的技術，在通態(tài)電阻和柵電荷方面實現(xiàn)了大幅改進。這使得優(yōu)值系數(shù)（FoM=柵電荷x通態(tài)電阻）達到業(yè)界最低水平。此外，英飛凌創(chuàng)新的大電流“Powerbond”技術可解決MOSFET鍵合引線受限問題，降低鍵合引線通態(tài)電阻的降幅，并增強電流功能。通過使鍵合引線更涼能進一步提高可靠性。最新的Powerbond技術可確保一個MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線，使標準封裝器件具備180A的額定電流。
OptiMOS-T2技術和結(jié)實耐用的封裝經(jīng)過精心設計，能夠在MSL1 （1級潮濕度）條件下，承受回流焊接過程中的260 °C高溫，并且采用無鉛電鍍，以符合RoHS標準。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車電子委員會（AEC-Q101）的規(guī)范要求。英飛凌先進的溝槽技術具備低柵電荷、低電容、低開關損耗和出色的優(yōu)值系數(shù)，可使電機效率達到新高，同時最大限度降低EMC輻射。此外，優(yōu)化的柵電荷可確保更小的驅(qū)動輸出級。
IPB180N03S4L-H0可滿足需要許多并聯(lián)MOSFET的大電流應用（超過500A）的要求。由于IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流，因此，可使大電流系統(tǒng)所需的并聯(lián)MOSFET減少一半，從而優(yōu)化電流共享、熱性能和成本。由于汽車電機逐步轉(zhuǎn)向脈寬調(diào)制（PWM）控制以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。
英飛凌公司標準汽車功率產(chǎn)品營銷總監(jiān)Torsten Blanke博士指出：“英飛凌具備基于OptiMOS-T2溝槽技術的廣泛汽車MOSFET產(chǎn)品組合。這些器件都采用結(jié)實耐用的封裝，具備出類拔萃的性能和品質(zhì)。通過推出具備180 A 額定電流的全新30V OptiMOS-T2器件，英飛凌再次在最大電流（采用標準封裝）和最低通態(tài)電阻（采用溝槽技術）方面樹立了行業(yè)標桿?！?/p>
供貨情況
具備180A漏極電流和僅0.9mΩ通態(tài)電阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。此外，英飛凌還提供另一種型號的器件——30V/180A （IPB180N03S4L-01）。該器件在10V柵源電壓條件下，具備1.05毫歐的通態(tài)電阻，適用于十分注重成本的應用。這兩款高功率MOSFET均采用標準的D2PAK-7封裝。
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