ST推出256M NAND閃存

  ST近日宣布已大批量生產(chǎn)256M" Small Page" NAND閃存VFBGA55版芯片，采用8x10mmBGA封裝形式，適用于便攜式設(shè)備，如照相手機(jī)、智能手機(jī)、低成本數(shù)碼相機(jī)、PDA和USB相機(jī)存儲(chǔ)棒，以及其他空間受限產(chǎn)品。

    這種厚度為1mm的封裝形式保持了與其他NAND產(chǎn)品間的疏通兼容性，卻可節(jié)省約20%板空間。NAND256屬于ST公司的NAND系列閃存產(chǎn)品，包括128M、256M、512M和1G設(shè)備，工作電壓為1.8V或3.0V。

    它提供超快速數(shù)據(jù)吞吐率和擦除功能，以及手機(jī)、PDA和其他便攜式設(shè)備所需的低功耗編程和低電壓操作特性。它采用先進(jìn)的120nm技術(shù)，具有小存儲(chǔ)單元尺寸，可保證價(jià)格敏感產(chǎn)品獲得最低成本。

    存儲(chǔ)器集成在2048個(gè)16K模塊內(nèi)，每個(gè)模塊可分為若干個(gè)512字節(jié)的頁(yè)，每頁(yè)又會(huì)閑置出16字節(jié)，用于頁(yè)進(jìn)行讀取和編程操作。這些閑置字節(jié)通常用于糾錯(cuò)編碼（Error Correction Code）、軟件標(biāo)記或損壞塊鑒定。緩存編程模塊可使存儲(chǔ)在一頁(yè)中的數(shù)據(jù)被直接編程進(jìn)另一頁(yè)，通常用于從故障塊內(nèi)移出數(shù)據(jù)。塊擦除命令的擦除時(shí)間為2ms，每塊可進(jìn)行100,000次編程和擦除操作，數(shù)據(jù)保持期為10年。

    ST公司的軟件工具鏈支持采用NAND閃存系列產(chǎn)品的設(shè)備的快速發(fā)展，有助于延長(zhǎng)其使用壽命。工具包括糾錯(cuò)編碼（ECC）軟件、損壞塊管理（BBM）、用于延長(zhǎng)設(shè)備壽命的磨耗校正（Wear Leveling）算法、文件系統(tǒng)OS本地參考軟件，以及硬件仿真模型。

    設(shè)備選項(xiàng)包括："上電后自動(dòng)讀取頁(yè)0"，適用于從NAND存儲(chǔ)器啟動(dòng)的應(yīng)用；"無(wú)需關(guān)心芯片類型"，可簡(jiǎn)化微控制器接口和提高NAND閃存與其他類型存儲(chǔ)器（如NOR閃存和SRAM）共同使用的效率；"唯一設(shè)備ID"，可進(jìn)行編程；"用戶編程序列號(hào)"，支持目標(biāo)應(yīng)用中的安全性。

    ST公司現(xiàn)已提供NAND256W3A (3V)和NAND256R3A (1.8V)產(chǎn)品，采用VFBGA55 8x10mm球陣列封裝（ZA），每100k定價(jià)為6.50美元。