ST 推出AD MUX I/O系列產(chǎn)品

    意法半導(dǎo)體（ST）宣布一個新的地址-數(shù)據(jù)多路復(fù)用輸入/輸出(AD MUX I/O)系列產(chǎn)品，這是一個專門為注重成本效益和價值的移動平臺設(shè)計的全系列NOR閃存解決方案。 

    AD MUX I/O架構(gòu)提出了數(shù)據(jù)地址共用引腳的概念，從而減少了存儲芯片的引腳數(shù)量，進(jìn)一步節(jié)省了微處理器的系統(tǒng)成本。節(jié)省成本將給手機制造商帶來巨大的競爭優(yōu)勢，特別是對于移動應(yīng)用優(yōu)勢更加明顯，因為成本是移動市場成功的關(guān)鍵。

    AD MUX I/O架構(gòu)準(zhǔn)許無需增加引腳數(shù)量即可提高總線寬度，或者減少引腳數(shù)量不會降低性能。尺寸更小的機械封裝外廓，電路板占位面積縮小，這兩種優(yōu)勢降低了手機制造商的成本。

    這些新產(chǎn)品的原型是ST現(xiàn)有的成功的NOR閃存產(chǎn)品。ST不斷提供在技術(shù)開發(fā)、體系結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)性能上最佳的解決方案。最先進(jìn)的典型特性，結(jié)合性能最高的應(yīng)用，為終端用戶帶來了特別的實惠。新系列AD MUX I/O產(chǎn)品的推出確保所有手機市場上的NOR閃存產(chǎn)品的需求都能得到滿足。

    AD MUX I/O產(chǎn)品組合包括獨立解決方案和子系統(tǒng)解決方案，這兩種方案基于1位和每單元2位技術(shù)，準(zhǔn)許在提高存儲器密度的同時優(yōu)化芯片尺寸，采用130nm和90nm制造工藝。該系列產(chǎn)品提供脈沖串模式和多存儲庫架構(gòu)，采用LFBGA88 (8x10mm)、LFBGA107 (8x11mm)或VFBGA44 (7.5x5mm)封裝。 

    對于獨立的NOR閃存，密度從16- Mbit到64-Mbit的采用每單元1位技術(shù)；密度從128- Mbit到256-Mbit的采用每單元2位技術(shù)。 

    子系統(tǒng)解決方案初步包括下列組合：
128Mb NOR 閃存 + 64-Mbit PSRAM (M36L0R7060L1/U1) 
128Mb NOR 閃存 + 32-Mbit PSRAM (M36L0R7050L1/U1)

    ST不久還將推出更多的子系統(tǒng)解決方案(64-Mbit 閃存 + 32-Mbit PSRAM, 64-Mbit 閃存 + 16-Mbit PSRAM, 32-Mbit 閃存 + 16-Mbit PSRAM)，以充實這個產(chǎn)品系列的內(nèi)容。

    新產(chǎn)品的樣片現(xiàn)已推出，量產(chǎn)計劃2006年第3季度開始。