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[導(dǎo)讀]安森美半導(dǎo)體 (Onsemi) 為當(dāng)今最先進(jìn)的計(jì)算、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、連網(wǎng)和消費(fèi)應(yīng)用的同步存儲(chǔ)器模塊推出兩款新的時(shí)鐘分配器件,擴(kuò)展了高性能 ECLinPSTM 時(shí)鐘管理產(chǎn)品系列。

安森美半導(dǎo)體 (Onsemi) 為當(dāng)今最先進(jìn)的計(jì)算、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、連網(wǎng)和消費(fèi)應(yīng)用的同步存儲(chǔ)器模塊推出兩款新的時(shí)鐘分配器件,擴(kuò)展了高性能 ECLinPSTM 時(shí)鐘管理產(chǎn)品系列。新的 NB4N121K 和  NB4N111K 為全面緩沖雙列直插內(nèi)存模塊 (FBDIMM) 應(yīng)用提供差分主時(shí)鐘信令等級(jí) (HCSL) 輸出和極低傳輸延遲變異。

新的NB4N121K和NB4N111K都是3.3伏 (V) 時(shí)鐘分配器件,帶有差分HCSL 輸出,針對(duì)100、133、166、200、266、333 和400 MHz等典型FBDIMM頻率應(yīng)用。這兩款器件采用先進(jìn)的0.25 微米 (μm) CMOS 工藝技術(shù)制造,性能遠(yuǎn)超競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品——產(chǎn)生僅 0.3 皮秒 (ps) 的相加相位抖動(dòng)和不足100 ps的輸出至輸出歪曲率。(每個(gè)差分對(duì)的最大傳輸延遲變異Δtpd為100 ps。)競(jìng)爭(zhēng)性器件的典型抖動(dòng)超過(guò) 1 ps時(shí),歪曲率遠(yuǎn)高于 100 ps。因此,安森美半導(dǎo)體最新的 ECLinPS™ 器件為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員省下更多的珍貴時(shí)序預(yù)算。

安森美半導(dǎo)體新的時(shí)鐘分配器件進(jìn)行了優(yōu)化的設(shè)計(jì)、布線和處理,將器件內(nèi)歪曲率和器件之間歪曲率降到最低。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠利用這種出色性能為其存儲(chǔ)器控制器和FBDIMM模塊分配低歪曲率、低抖動(dòng)的時(shí)鐘。兩款器件的時(shí)鐘輸入引腳還內(nèi)部整合了 50 歐姆 (Ω) 的片內(nèi)端接 (ODT) ,減少元件數(shù)量和簡(jiǎn)化電路板布線。

NB4N121K 是 1 : 21 或 1 : 42 的HCSL時(shí)鐘分配器件。在 1 : 21 下,該器件提供業(yè)內(nèi)最寬的扇出,能配置成 2X 模式,提供 1 : 42 HCSL 扇出。該器件接受差分低壓正射極耦合邏輯 (LVPECL) 、電路模式邏輯 (CML) 或低壓差分信令 (LVDS) 等級(jí),也能在配以適當(dāng)?shù)慕涣鲄⒖茧娫?nbsp;(VREFAC) 下,接受單端 LVPECL、CML、低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (LVCMOS) 或 LVTTL 等級(jí)。在1X負(fù)載模式下,IREF (引腳1) 的輸出驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)接地來(lái)選擇。如果配置成2X負(fù)載模式,則能夠輕易地通過(guò)連接IREF 到VCC 來(lái)完成。

NB4N121K 是 1 : 10 HCSL 時(shí)鐘分配器件,接受差分 LVPECL、CML 或 LVDS 輸入等級(jí),并能在配以適當(dāng)?shù)慕涣鲄⒖茧娫聪?,接受單?nbsp;LVPECL、CML、LVCMOS 或 LVTTL 等級(jí)。

NB4N121K 采用符合 RoHS 指令、52 引腳、裸露焊盤 QFN 封裝,每 1,000 片的批量單價(jià)為 4 美元。NB4N111K 采用符合 RoHS 的32 引腳、裸露焊盤 QFN 封裝,每 1,000 片的批量單價(jià)為 3.75 美元。
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