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[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體(ST)推出一個高集成度的微型記憶卡接口芯片,新產(chǎn)品采用世界領(lǐng)先的IPAD™ (有源和無源器件集成)技術(shù),內(nèi)置可插拔SD(安全數(shù)字)記憶卡接口所需的五個基本功能,適用于帶有SD接口的手機、GPS導(dǎo)航設(shè)備、數(shù)碼相機等各種消費類和工業(yè)類產(chǎn)品。

意法半導(dǎo)體(ST)推出一個高集成度的微型記憶卡接口芯片,新產(chǎn)品采用世界領(lǐng)先的IPAD™ (有源和無源器件集成)技術(shù),內(nèi)置可插拔SD(安全數(shù)字)記憶卡接口所需的五個基本功能,適用于帶有SD接口的手機、GPS導(dǎo)航設(shè)備、數(shù)碼相機等各種消費類和工業(yè)類產(chǎn)品。新的倒裝片封的EMIF06-SD02F3記憶卡收發(fā)器集成了信號調(diào)節(jié)、雙向電平轉(zhuǎn)換、ESD(靜電放電)保護、EMI (電磁干擾)過濾單元和一個2.9V穩(wěn)壓器。

在一個單片內(nèi)集成這些電路有助于提高系統(tǒng)的可靠性,同時比分立器件解決方案節(jié)省電路板空間75%以上。EMIF06-SD02F3占用電路板面積不到7平方毫米,具有相同功能的分立器件解決方案需要大約30平方毫米,同時新產(chǎn)品還簡化了目標(biāo)應(yīng)用的產(chǎn)品設(shè)計和電路布局。 

該芯片符合標(biāo)準(zhǔn)的和高速SD接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標(biāo)準(zhǔn)。新產(chǎn)品的特性包括一個先進的ESD保護電路、高效EMI過濾電路和上拉/下拉電阻,其中ESD保護電路用于保護外部的裸露的記憶卡插槽,EMI過濾電路用于防止射頻干擾數(shù)據(jù)線路,上拉和下拉電阻用于防止出現(xiàn)懸空的數(shù)據(jù)線路??▊?cè)ESD保護電路符合嚴格的IEC61000-4-2 的四級保護標(biāo)準(zhǔn),即空氣放電15kV。EMI濾波器工作頻率800MHz到3GHz,在1GHz頻率下,衰減性能超過20dB。

此外,該芯片還提供六個高速雙向電平轉(zhuǎn)換器,它們的工作頻率50MHz,典型傳播延遲3ns,能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大延遲差確保數(shù)據(jù)的一致性,并針對低功耗應(yīng)用優(yōu)化了驅(qū)動器,靜態(tài)斷態(tài)電路取得了1微安的好成績。 

記憶卡的電源是由一個2.9V片上低壓降(LDO) CMOS穩(wěn)壓器提供的,輸出電流 200mA,輸入電壓范圍3.1V到5V。當(dāng)200mA負載時,最大壓降100mV。新產(chǎn)品還提供一個關(guān)斷控制引腳,該引腳的導(dǎo)通時間很短,僅為30μs,這個特性有助于最大限度降低產(chǎn)品的功耗,延長電池使用時間。穩(wěn)壓器包括一個熱關(guān)斷、低壓鎖定和短路保護功能。 

EMIF06-SD02F3采用一個24焊球的微型無鉛封裝,焊球間距400微米,新產(chǎn)品現(xiàn)已投入量產(chǎn)。訂購100萬只,單價1.10美元;訂購100萬到500萬只,單價0.95美元。
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