2Gb大容量動態(tài)存儲器芯片

型號：2Gb DDR2
   公司：山東華芯半導體有限公司
   英文名稱：Shandong Sinochip Semiconductors Co., Ltd.

   芯片概述

   華芯DRAM芯片是中國自主品牌的高端DRAM產品，在功耗與性能上有明顯優(yōu)勢。目前廣泛應用于服務器、計算機、筆記本電腦、高清電視、機頂盒、上網本、平板電腦(PAD)、移動信息終端（MID）等產品。
   華芯DRAM芯片采用業(yè)內領先的BWL（埋藏字線）技術進行設計，在相同工藝水平下，可以提供更優(yōu)異的性能和更低的功耗。從晶圓到顆粒全面的品質管控，通過嚴格的測試流程進行篩選，確保產品的穩(wěn)定性和可靠性。

   芯片封裝形式

   TFBGA60 和 TFBGA84

   生產工藝

   12英寸65nm 掩埋字線工藝

   主要功能和技術指標

   產品完全滿足JEDEC DDR2 標準

   主要性能指標：
   芯片尺寸: 9.668mmx10.384mm
   芯片容量：2Gbit/片
   數據率：800Mhz-1066Mhz
   標稱工作電壓:1.8V，可選低電壓1.5V工作模式
   靜態(tài)功耗均值 5.0mA
   最大動態(tài)功耗均值 125mA

   本產品所獲得的專利

   已受理專利5項
   已獲取專利1項

   本產品獲獎情況

   （IC CHINA） 最佳優(yōu)秀展品獎

   企業(yè)簡介

   山東華芯半導體有限公司成立于2008年5月，注冊資本3億元，是山東省政府確定的集成電路龍頭企業(yè)。公司總部位于濟南，并設立西安華芯半導體有限公司（存儲器研發(fā)中心），在硅谷、慕尼黑和香港設立合作研發(fā)中心。
   2009年5月，華芯成功收購德國奇夢達科技中國研發(fā)中心，跨越式擁有了世界先進水平的存儲器設計團隊，獲得了先進的軟硬件設計平臺和高水平的分析測試實驗室，一舉成為中國領先的半導體存儲器集成電路設計研發(fā)企業(yè)。
   公司擁有近百人的國際化研發(fā)團隊，其中外籍員工7人，歸國高層次人才8人，國內知名院校碩士學位以上畢業(yè)生占85%。