Arm發(fā)布Artisan®物理IP，將加速基于臺積電22nm ULP/ULL平臺的主流移動和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備SoC設(shè)計(jì)

Arm宣布旗下Arm®Artisan®物理IP將應(yīng)用于臺積電基于Arm架構(gòu)的SoC設(shè)計(jì)22nm超低功耗(ULP)和超低漏電(ULL)平臺。臺積電22nmULP/ULL技術(shù)針對主流移動和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，與上一代臺積電28nm HPC+平臺相比，在提升基于Arm的SoC性能的同時(shí)，更顯著降低功耗和硅片面積。

“本次發(fā)布的下一代工藝技術(shù)能夠以更低的功耗、在更小的面積上滿足更多的功能需求，”Arm物理設(shè)計(jì)事業(yè)群總經(jīng)理Gus Yeung指出，“Artisan物理IP與臺積電22nmULP/ULL技術(shù)的設(shè)計(jì)和制造成本優(yōu)勢相結(jié)合，將為我們雙方的合作伙伴帶來立竿見影的每毫瓦運(yùn)算性能提升及硅片面積縮減兩方面優(yōu)勢。”

針對臺積電22nmULP/ULL工藝技術(shù)推出的Artisan物理IP包含了代工廠支持的內(nèi)存編譯器，針對下一代邊緣計(jì)算設(shè)備的低泄漏和低功耗要求進(jìn)行了優(yōu)化。除此之外，這些編譯器還附有超高密度和高性能的物理IP標(biāo)準(zhǔn)單元庫，其中含有電源管理套件和厚柵氧化物元件庫，以協(xié)助優(yōu)化低泄漏功耗。另外，最新的物理IP還提供了通用I/O解決方案，以確保性能、功耗和面積(PPA)的全面最優(yōu)化。

臺積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)市場部高級總監(jiān)李碩表示：“Artisan 物理 IP使臺積電能夠加速流片(tape-out)時(shí)間，從而以更快的速度將針對主流物聯(lián)網(wǎng)和移動設(shè)備設(shè)計(jì)的尖端SoC推向市場?；陔p方在28nmHPC+平臺合作上的成功，臺積電和Arm不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，進(jìn)而為雙方的合作伙伴提供在更多設(shè)備上實(shí)現(xiàn)更優(yōu)邊緣計(jì)算體驗(yàn)的可能。”

Arm物理IP是一套廣受信賴并已獲廣泛應(yīng)用的解決方案，每年由Arm合作伙伴出貨的集成電路(IC)超過100億個(gè)。臺積電22nmULP/ULL工藝技術(shù)針對Arm物理IP的整合目前正在積極推進(jìn)之中，致力于在2018年下半年為雙方共同的芯片合作伙伴實(shí)現(xiàn)流片(tape-out)。