GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI（TDK）
[導(dǎo)讀]TDK 公司今天宣布開(kāi)發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計(jì)劃于九月份開(kāi)始銷(xiāo)售。
TDK 公司今天宣布開(kāi)發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計(jì)劃于九月份開(kāi)始銷(xiāo)售。
GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁(yè)和4K字節(jié)/頁(yè)的
NAND閃存兼容。該控制器支持單級(jí)單元 (SLC) 和多級(jí)單元(MLC) NAND 閃存，實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)(SLC) 和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的高速閃存存儲(chǔ)容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VFBGA封裝方式。
該控制器實(shí)現(xiàn)了高速控制、采用15位糾錯(cuò)碼(ECC)、GBDriver系列共有的自動(dòng)恢復(fù)功能以及斷電時(shí)的并行錯(cuò)誤預(yù)防功能，這些設(shè)計(jì)提高了NAND閃存的數(shù)據(jù)可靠性。
此外，GBDriver RA8系列采用了一種新式獨(dú)創(chuàng)的靜態(tài)耗損均衡算法(static wear
leveling algorithm)，使每個(gè)存儲(chǔ)塊的重寫(xiě)次數(shù)更加平均，這樣就最大程度地延長(zhǎng)了NAND閃存的擦寫(xiě)壽命。閃存管理功能包括改進(jìn)的設(shè)定每個(gè)存儲(chǔ)塊擦寫(xiě)次數(shù)的“智能功能”(SMART)，并對(duì)量化評(píng)估、管理及NAND存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行了簡(jiǎn)化。
TDK將于2008年10月發(fā)售配備了新型GBDriver RA8控制器的工業(yè)小型閃存卡和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SDD) 。
主要用途
主要用于民用、工業(yè)用嵌入式系統(tǒng)設(shè)備及 IT 設(shè)備，例如：數(shù)碼相機(jī)、便攜攝像機(jī)、數(shù)字電視、機(jī)頂盒(STB)、多功能打印機(jī)、車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備 (PND)、車(chē)載音響、電子收費(fèi)(ETC)終端、銷(xiāo)售點(diǎn)(POS)終端、 金融業(yè)務(wù)終端與ATM機(jī)、醫(yī)療設(shè)備、測(cè)量?jī)x器、機(jī)械工具、工廠自動(dòng)面板計(jì)算機(jī)及觸摸屏系統(tǒng)。
主要特性
1. 主機(jī)接口：
GBDriver RA8與PIO0-6、Multiword DMA 0-4及Ultra DMA0-6兼容，支持高達(dá)50 MB/秒的讀訪問(wèn)速度和35 MB/秒的寫(xiě)訪問(wèn)速度（采用MLC 時(shí)為15 MB/秒）。（*實(shí)際速度取決于安裝的閃存）
2. 支持的閃存：
GBDriver RA8控制器支持所有廠商最新的2 K字節(jié)/頁(yè)和4 K字節(jié)/頁(yè)結(jié)構(gòu)的NAND閃存及其最新產(chǎn)品。由于這些產(chǎn)品都與SLC和MLC NAND閃存兼容，該控制器實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到16G字節(jié)(SLC)和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的存儲(chǔ)容量。
3. 適用于所有存儲(chǔ)塊的靜態(tài)耗損均衡功能：
新的靜態(tài)耗損均衡算法使每個(gè)存儲(chǔ)塊的擦寫(xiě)次數(shù)更加平均。可將靜態(tài)耗損均衡設(shè)為任意范圍，超出靜態(tài)耗損均衡的區(qū)域按動(dòng)態(tài)耗損均衡管理。
4. 改進(jìn)的斷電耐受性：
在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)如發(fā)生斷電，獨(dú)創(chuàng)的算法可全面預(yù)防并行錯(cuò)誤，不讓錯(cuò)亂的數(shù)據(jù)寫(xiě)入。
5. 糾錯(cuò)和恢復(fù)：
閃存鑒別功能采用8位/段ECC或15位/段ECC來(lái)提供糾錯(cuò)能力，為適應(yīng)未來(lái)的發(fā)展預(yù)留了空間。自動(dòng)恢復(fù)功能包括在重復(fù)讀取數(shù)據(jù)時(shí)自動(dòng)糾正位錯(cuò)誤（讀干擾錯(cuò)誤）。
6. 其他功能：
(a) 總簇?cái)?shù)量設(shè)置功能
可調(diào)高或調(diào)低分配給數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯塊數(shù)量。例如，可通過(guò)減少數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)提高可寫(xiě)入數(shù)據(jù)的次數(shù)。反之，如果應(yīng)用不要求長(zhǎng)壽命，可通過(guò)增加數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)加大存儲(chǔ)容量。
(b) 保護(hù)功能
采用ATA標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)功能，使用戶(hù)能夠設(shè)置和取消密碼以保護(hù)重要數(shù)據(jù)。
(c) “智能命令”支持
可通過(guò)“智能命令”設(shè)定所有內(nèi)存塊的擦寫(xiě)次數(shù)，便于確定閃存狀態(tài)和相關(guān)管理。
7. 解決方案支持
TDK自2000年開(kāi)始自主研發(fā)和銷(xiāo)售GBDriver系列NAND閃存控制器，依托其先進(jìn)技術(shù)為日本和國(guó)外客戶(hù)提供技術(shù)支持，包括派遣現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師和實(shí)施可靠性監(jiān)控工作，嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)對(duì)此有強(qiáng)烈需求。
生產(chǎn)銷(xiāo)售計(jì)劃
—生產(chǎn)地點(diǎn)： 日本
—生產(chǎn)能力： 100,000單元/月（預(yù)計(jì)）
—樣品出貨： 2008年9 月
GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁(yè)和4K字節(jié)/頁(yè)的
NAND閃存兼容。該控制器支持單級(jí)單元 (SLC) 和多級(jí)單元(MLC) NAND 閃存，實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)(SLC) 和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的高速閃存存儲(chǔ)容量，因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VFBGA封裝方式。
該控制器實(shí)現(xiàn)了高速控制、采用15位糾錯(cuò)碼(ECC)、GBDriver系列共有的自動(dòng)恢復(fù)功能以及斷電時(shí)的并行錯(cuò)誤預(yù)防功能，這些設(shè)計(jì)提高了NAND閃存的數(shù)據(jù)可靠性。
此外，GBDriver RA8系列采用了一種新式獨(dú)創(chuàng)的靜態(tài)耗損均衡算法(static wear
leveling algorithm)，使每個(gè)存儲(chǔ)塊的重寫(xiě)次數(shù)更加平均，這樣就最大程度地延長(zhǎng)了NAND閃存的擦寫(xiě)壽命。閃存管理功能包括改進(jìn)的設(shè)定每個(gè)存儲(chǔ)塊擦寫(xiě)次數(shù)的“智能功能”(SMART)，并對(duì)量化評(píng)估、管理及NAND存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行了簡(jiǎn)化。
TDK將于2008年10月發(fā)售配備了新型GBDriver RA8控制器的工業(yè)小型閃存卡和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SDD) 。
主要用途
主要用于民用、工業(yè)用嵌入式系統(tǒng)設(shè)備及 IT 設(shè)備，例如：數(shù)碼相機(jī)、便攜攝像機(jī)、數(shù)字電視、機(jī)頂盒(STB)、多功能打印機(jī)、車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備 (PND)、車(chē)載音響、電子收費(fèi)(ETC)終端、銷(xiāo)售點(diǎn)(POS)終端、 金融業(yè)務(wù)終端與ATM機(jī)、醫(yī)療設(shè)備、測(cè)量?jī)x器、機(jī)械工具、工廠自動(dòng)面板計(jì)算機(jī)及觸摸屏系統(tǒng)。
主要特性
1. 主機(jī)接口：
GBDriver RA8與PIO0-6、Multiword DMA 0-4及Ultra DMA0-6兼容，支持高達(dá)50 MB/秒的讀訪問(wèn)速度和35 MB/秒的寫(xiě)訪問(wèn)速度（采用MLC 時(shí)為15 MB/秒）。（*實(shí)際速度取決于安裝的閃存）
2. 支持的閃存：
GBDriver RA8控制器支持所有廠商最新的2 K字節(jié)/頁(yè)和4 K字節(jié)/頁(yè)結(jié)構(gòu)的NAND閃存及其最新產(chǎn)品。由于這些產(chǎn)品都與SLC和MLC NAND閃存兼容，該控制器實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到16G字節(jié)(SLC)和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的存儲(chǔ)容量。
3. 適用于所有存儲(chǔ)塊的靜態(tài)耗損均衡功能：
新的靜態(tài)耗損均衡算法使每個(gè)存儲(chǔ)塊的擦寫(xiě)次數(shù)更加平均。可將靜態(tài)耗損均衡設(shè)為任意范圍，超出靜態(tài)耗損均衡的區(qū)域按動(dòng)態(tài)耗損均衡管理。
4. 改進(jìn)的斷電耐受性：
在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)如發(fā)生斷電，獨(dú)創(chuàng)的算法可全面預(yù)防并行錯(cuò)誤，不讓錯(cuò)亂的數(shù)據(jù)寫(xiě)入。
5. 糾錯(cuò)和恢復(fù)：
閃存鑒別功能采用8位/段ECC或15位/段ECC來(lái)提供糾錯(cuò)能力，為適應(yīng)未來(lái)的發(fā)展預(yù)留了空間。自動(dòng)恢復(fù)功能包括在重復(fù)讀取數(shù)據(jù)時(shí)自動(dòng)糾正位錯(cuò)誤（讀干擾錯(cuò)誤）。
6. 其他功能：
(a) 總簇?cái)?shù)量設(shè)置功能
可調(diào)高或調(diào)低分配給數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯塊數(shù)量。例如，可通過(guò)減少數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)提高可寫(xiě)入數(shù)據(jù)的次數(shù)。反之，如果應(yīng)用不要求長(zhǎng)壽命，可通過(guò)增加數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)加大存儲(chǔ)容量。
(b) 保護(hù)功能
采用ATA標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)功能，使用戶(hù)能夠設(shè)置和取消密碼以保護(hù)重要數(shù)據(jù)。
(c) “智能命令”支持
可通過(guò)“智能命令”設(shè)定所有內(nèi)存塊的擦寫(xiě)次數(shù)，便于確定閃存狀態(tài)和相關(guān)管理。
7. 解決方案支持
TDK自2000年開(kāi)始自主研發(fā)和銷(xiāo)售GBDriver系列NAND閃存控制器，依托其先進(jìn)技術(shù)為日本和國(guó)外客戶(hù)提供技術(shù)支持，包括派遣現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師和實(shí)施可靠性監(jiān)控工作，嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)對(duì)此有強(qiáng)烈需求。
生產(chǎn)銷(xiāo)售計(jì)劃
—生產(chǎn)地點(diǎn)： 日本
—生產(chǎn)能力： 100,000單元/月（預(yù)計(jì)）
—樣品出貨： 2008年9 月
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