瑞薩電子與臺積電聯(lián)手打造微控制器的生態(tài)系統(tǒng)

21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”） 與臺灣積體電路制造（TSMC）28日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署協(xié)議，將在微控制器(MCU)技術(shù)方面的合作擴大至40納米嵌入閃存(eFlash)的制造，以生產(chǎn)應(yīng)用于下一代汽車及家電等消費類產(chǎn)品的微控制器。瑞薩電子先前已委托TSMC生產(chǎn)90納米工藝的微控制器，本次合作方案中，瑞薩電子將委托TSMC生產(chǎn)40納米工藝及更先進生產(chǎn)工藝的微控制器。

結(jié)合瑞薩電子支持高可靠性及高速的金屬氧化氮氧化硅（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技術(shù)與TSMC高品質(zhì)技術(shù)的支持，包括先進的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）生產(chǎn)與靈活的產(chǎn)能調(diào)節(jié)的優(yōu)勢。瑞薩電子與TSMC將在MCU平臺與制造所需的先進技術(shù)上共同合作，以取得世界領(lǐng)先地位。此外，通過將此MONOS生產(chǎn)平臺提供給遍布全球的其他半導(dǎo)體供應(yīng)商，包括無晶圓廠（Fabless）公司及整合元件制造商（IDM），目標是建立一個生態(tài)系統(tǒng)，進一步擴大客戶群。

基于雙方長久穩(wěn)固的合作關(guān)係，TSMC為瑞薩電子提供先進的CMOS工藝和生產(chǎn)制造能力，使得瑞薩得以同時實現(xiàn)高成本效率和高可靠性，并將閃存整合于單一微控制器上。相比于目前的90納米制造工藝，采用40納米制造的微控制器產(chǎn)品具備更高速、更低功耗的優(yōu)勢，而且晶片尺寸縮小逾50%，這些特性對于整合型微控制器的設(shè)計格外重要，該設(shè)計將邏輯晶片、存儲器、及其他系統(tǒng)零組件壓縮至極小的面積上。

瑞薩電子資深副總裁MCU事業(yè)本部長巖元伸一表示，「今后瑞薩電子將以半導(dǎo)體事業(yè)全球的增長作為目標，考慮到TSMC在提供產(chǎn)品迅速量產(chǎn)、實時并且大量提供尖端工藝的生產(chǎn)及對市場需求劇烈波動的應(yīng)對方面的卓越優(yōu)勢。本次與TSMC合作是瑞薩電子努力實現(xiàn)全球市場增長的重要戰(zhàn)略。
去年的日本大地震，使瑞薩多條生產(chǎn)線受到?jīng)_擊，給客戶造成了很大影響。為汲取教訓，從公司營運持續(xù)計劃BCP（Business Continuity Plan）出發(fā)，瑞薩正在推進晶圓廠網(wǎng)絡(luò)（Fab Network）的構(gòu)建。通過此次強強合作發(fā)揮兩家公司領(lǐng)先世界的技術(shù)優(yōu)勢，我們將為客戶構(gòu)建一條穩(wěn)定可靠的供應(yīng)鏈，同時構(gòu)建引領(lǐng)市場發(fā)展的MCU生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng)。

臺積電公司全球業(yè)務(wù)暨行銷資深副總經(jīng)理陳俊圣表示：「瑞薩電子是微控制器市場的領(lǐng)軍廠商，通過此次合作，TSMC將為瑞薩電子新的微控制器生產(chǎn)提供必要的性能，同時滿足客戶對產(chǎn)品高品質(zhì)、高可靠性的期待方面做出貢獻。」

瑞薩電子的MONOS（金屬氧化氮氧化硅）嵌入閃存技術(shù)

在閃存單元（Flash Cell）中，每一個硅基（Silicon Base）上的電晶體都是由氧化物、氮化物以及氧化物三層組成，且在上方設(shè)有金屬控制閘極。瑞薩電子在MONOS閃存技術(shù)的應(yīng)用方面，擁有20年以上的經(jīng)驗，可提供IC卡專用的微控制器?；谠贛ONOS技術(shù)上優(yōu)異的成績，瑞薩電子成功地開發(fā)出適用于MCU內(nèi)部閃存的分離閘(Split-Gate, SG)結(jié)構(gòu)，此項新型的SG-MONOS閃存能夠?qū)崿F(xiàn)微控制器高可靠性、高速、以及低能耗的功能。