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[導讀]新思科技日前宣布已與ARM展開合作,從而提供與Synopsys IC Compiler II布局布線系統(tǒng)兼容的Artisan標準單元、內存、ARM POP IP及內核硬化加速技術。IC Compiler II于2014年推出,是行業(yè)領先的解決方案,適用于所有工藝節(jié)點的高級物理設計,能夠以最快設計速度提供優(yōu)質成果(QoR)。

新思科技日前宣布已與ARM展開合作,從而提供與Synopsys IC Compiler II布局布線系統(tǒng)兼容的Artisan標準單元、內存、ARM POP IP及內核硬化加速技術。IC Compiler II于2014年推出,是行業(yè)領先的解決方案,適用于所有工藝節(jié)點的高級物理設計,能夠以最快設計速度提供優(yōu)質成果(QoR)。ARM和Synopsys密切合作,確保IC Compiler II能夠在采用16/14 nm及以下FinFET技術的最新高端ARM Cortex-A73 CPU等ARM處理器實現(xiàn)過程中,充分利用Artisan物理IP和ARM POP IP在功耗、性能和面積方面的優(yōu)勢。隨著有關新興10 nm和7 nm工藝節(jié)點各項工作的推進,該項合作可幫助那些使用IC Complier II的ARM移動IP應用者繼續(xù)實現(xiàn)性能和能效的最大化,同時加快創(chuàng)新產品的上市。

亮點:

· ARM和Synopsys合作提供針對Synopsys IC Compiler™ II布局布線系統(tǒng)的ARM® Artisan®標準單元、內存庫和ARM POP™ IP支持

· 通過合作,技術領先的合作伙伴能夠使采用28 nm和16-/14 nm FinFET技術的主流ARM處理器實現(xiàn)最佳功耗、性能和面積

·Synopsys IC Compiler II技術研討會展示ARM最新CPU——ARM Cortex®-A73應用IC Compiler II布局布線方面,所取得的進步

ARM物理設計群組營銷副總裁Ron Moore表示:“領先的處理器利用硅技術方面取得的重大進步不斷挑戰(zhàn)速度和能效極限。由于預見到這種不斷加劇的復雜性,ARM一直與Spnopsys密切合作,以面向IC Compiler II提供經過最佳優(yōu)化的標準單元、邏輯和內存實例。在我們的測試中,組合解決方案可實現(xiàn)FinFET工藝技術的全部優(yōu)勢,同時還展示了非凡的生產量。我們將繼續(xù)與Synopsys在10 nm和7 nm設計實現(xiàn)方面展開合作。”

IC Compiler II采用多項創(chuàng)新技術,使其適用于高性能、低功耗的ARM處理器物理實現(xiàn),為移動應用帶來多種性能、功耗選項。高新能library開發(fā)、高效的早期數(shù)據(jù)處理,以及根據(jù)data flow自動芯片布局原型設計,高度準確地制定初步設計決策。行業(yè)首款物理分析綜合引擎、繞線層分配,以及時鐘門控單元插入等創(chuàng)新優(yōu)化技術引導物理設計工程師明確地向著頻率目標前進,同時保持較低的總負時序裕量(TNS)影響??焖賲?shù)片上變量分析(POCV)、基于全局布線的凈估算,以及量產標準的時延計算可確保實現(xiàn)最優(yōu)關聯(lián),減少ECO工作量。最后,先進的邏輯重構、靜態(tài)和動態(tài)總功耗優(yōu)化,和數(shù)據(jù)路徑和時鐘路徑的同時優(yōu)化技術可以大大減少面積和功耗,同時確保時序收斂。

Synopsys設計群組營銷副總裁Bijan Kiani表示:“自上市以來,IC Compiler II在客戶中引起了巨大反響,并且已經在大量高級硅應用中實施了數(shù)千案例”。我們與ARM在ArtisanPhysical Libary和ARM POP IP方面的合作,同時ARM處理器能夠確保我們共同客戶能夠實現(xiàn)最佳性能和良率,同時提高設計人員的工作效率,加快產品上市。”

可用性

面向采用領先的FinFET鑄造工藝節(jié)點的IC Compiler II的Artisan物理IP和 ARM POP IP支持現(xiàn)已可用。

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