HOLTEK新推出HT45F4N、HT45FH4N Power Bank Flash MCU

21ic訊 Holtek針對Power Bank領(lǐng)域，推出了1.5代Power Bank Flash版本的MCU HT45F4N、HT45FH4N，與第1代的Power Bank MCU相比，增加了更多的資源及更多的腳位，更適合Power Bank帶LED數(shù)碼管及LCD屏顯示等應(yīng)用。

HOLTEK新推出HT45F4N、HT45FH4N Power Bank Flash MCU" />

HT45F4N、HT45FH4N具備4K x 16 Flash Program ROM、192 Byte Data RAM、64 Byte Data EEPROM、工作電壓2.55V ~ 5.50V、系統(tǒng)頻率可選最佳為30MHz/4，內(nèi)建精準RC Oscillator (HIRC 30MHz)，內(nèi)建14個通道12-bit ADC、3個10-bit PTM，其中2個用于產(chǎn)生互補式PWM輸出，可用于2路獨立的DC to DC升壓及降壓等應(yīng)用、1個16-bit CTM Timer、1個過電壓及欠壓保護電路、2個過電流保護電路、LVD與LVR用于偵測系統(tǒng)電壓，若系統(tǒng)電壓低于LVR值時系統(tǒng)將產(chǎn)生重置，以避免系統(tǒng)工作電壓低于操作電壓可能造成的不穩(wěn)定狀態(tài)。

HT45F4N、HT45FH4N針對Power Bank應(yīng)用，可完整支持電池充電及放電功能?；パa式PWM輸出則是用來直推外部PMOS及NMOS，提供電池在充放電的過程中，可以做到同步整流的功能，使功耗的損失降至最低，因而提升Power Bank的效率。

HT45FH4N額外提供內(nèi)部5V LDO輸出，且其互補式PWM輸出則可透過Level Shift轉(zhuǎn)換輸出到高壓，用于驅(qū)動外部PMOS及NMOS，降低PMOS及NMOS的導(dǎo)通阻抗。

HT45F4N、HT45FH4N提供28SSOP封裝，對于Power Bank應(yīng)用非常適合，且本產(chǎn)品如同Holtek其他8-bit MCU，具有符合工業(yè)規(guī)格與高抗噪聲特性。