飛思卡爾Airfast方案新增48V LDMOS射頻功率晶體管
21ic訊 飛思卡爾半導(dǎo)體公司為先進(jìn)的Airfast射頻功率產(chǎn)品系列推出最先兩款產(chǎn)品,以滿足市場對符合成本效益,同時又能夠支持飛速提升的數(shù)據(jù)速率、多重?zé)o線標(biāo)準(zhǔn)以及不斷增加的網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜性的射頻功率解決方案的需求。新產(chǎn)品旨在以更經(jīng)濟、且更小的尺寸配置提供業(yè)界領(lǐng)先的功率密度、信號帶寬、線性效率和增益。
飛思卡爾射頻部門副總裁兼總經(jīng)理Ritu Favre表示:“由于全球的無線網(wǎng)絡(luò)變得越來越復(fù)雜,所以對射頻功率市場也提出了相應(yīng)要求。多種調(diào)制格式、帶寬的增加和更加小巧的外形尺寸等需求要求射頻功率技術(shù)采用更加全面且系統(tǒng)級的方法。我們在設(shè)計最新的Airfast產(chǎn)品時就考慮到了這些需求的變化。”
新的AFT09VP350N產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首個專門為720 - 960 MHz頻段中的多載波GSM和多標(biāo)準(zhǔn)宏蜂窩應(yīng)用而設(shè)計的48V LDMOS晶體管。當(dāng)在Doherty配置中使用時,該器件只需一個晶體管包就可達(dá)到57 dBm(500W)的峰值功率,其功率容量幾乎是其他同等尺寸LDMOS解決方案的兩倍。相比之下,目前平均可達(dá)40W-60W的大功率發(fā)射機通常需要使用兩個或三個獨立封裝的器件才能達(dá)到此峰值功率水平。
在為920 - 960 MHz頻帶設(shè)計的Doherty電路中,AFT09VP350N以50 dBm(100W)平均輸出功率就達(dá)到了50%的效率,實現(xiàn)19dB以上的增益,同時符合嚴(yán)格的多載波GSM校正線性規(guī)范。飛思卡爾頗具成本效益的超模壓塑料OMNI封裝具有超低熱阻,可進(jìn)一步提升效率。由于每瓦測量的器件漏源級電容量減少了50%,AFT09VP350N的瞬時信號帶寬能力可高達(dá)100 MHz。
新的Airfast系列產(chǎn)品中,處于功率和頻譜另一端的是28V AFT26HW050GS LDMOS晶體管。該產(chǎn)品專為2500-2700 MHz之間的寬瞬時寬帶微蜂窩和Metro蜂窩LTE應(yīng)用而設(shè)計。與AFT09VP350N類似,在Doherty兼容的配置中,AFT26HW050GS在一個單獨封裝內(nèi)包含兩個相互匹配的獨立晶體管。在為2620-2690 MHz頻帶設(shè)計的Doherty電路中,AFT26HW050GS提供47 dBm(50W)的峰值功率,在39 dBm(8W)的平均功率時可實現(xiàn)超過15.5 dB 的Doherty增益和48%的效率。在這些條件下,該器件使用20 MHz LTE測試信號可將DPD校正到-54 dBc。針對5W-7W發(fā)射器,這個效率相對以前的飛思卡爾LDMOS解決方案,提高了七個點,也是業(yè)界目前在這個頻率中達(dá)到的最高硅片Doherty效率記錄。除了高增益和效率外,AFT26HW050GS還支持超過100 MHz的瞬時信號帶寬。此外,該器件放置在一個生產(chǎn)友好型、表面貼裝的氣腔封裝中,使器件可安裝在嵌入式模壓板上,或者通過熱和電接地陣列簡化器件安裝。
Airfast射頻功率解決方案旨在同時滿足效率提升、峰值功率和信號帶寬需求,另外還能應(yīng)對降低成本的持續(xù)壓力。最新的Airfast器件帶寬比上一代產(chǎn)品增加了兩到三倍,可使OEM廠商簡化產(chǎn)品組合,降低系統(tǒng)成本并制造出寬頻帶和多制式的放大器。
該產(chǎn)品強調(diào)了AFT09VP350N中采用48V技術(shù)的成本效益,幫助OEM廠商以更少的組件創(chuàng)建下一代發(fā)射機。組件的減少加之產(chǎn)品的低熱阻塑料封裝可以使功率放大器的尺寸縮小并降低成本,從而為無線網(wǎng)絡(luò)運營商提供更小、更輕的遠(yuǎn)程射頻頭。AFT26HW050GS還利用生產(chǎn)友好型、表面貼裝的氣腔封裝,進(jìn)一步優(yōu)化了成本。此配置加上大幅提高的效率,消除了對昂貴銅板或模壓板的需求,從而減輕了重量并降低了系統(tǒng)成本。因此,無線設(shè)備可以更小、更輕、更具成本效益。
AFT09VP350N和AFT26HW050GS連同參考設(shè)計及其他支持工具計劃于2012年第二季度全面提供樣品。欲獲取樣品和價格信息,請與飛思卡爾當(dāng)?shù)劁N售辦事處聯(lián)系。2012年全年將推出更多器件,涉及一系列蜂窩頻段和功率電平。