飛思卡爾Airfast方案新增48V LDMOS射頻功率晶體管

21ic訊 飛思卡爾半導體公司為先進的Airfast射頻功率產(chǎn)品系列推出最先兩款產(chǎn)品，以滿足市場對符合成本效益，同時又能夠支持飛速提升的數(shù)據(jù)速率、多重無線標準以及不斷增加的網(wǎng)絡復雜性的射頻功率解決方案的需求。新產(chǎn)品旨在以更經(jīng)濟、且更小的尺寸配置提供業(yè)界領(lǐng)先的功率密度、信號帶寬、線性效率和增益。
 
飛思卡爾射頻部門副總裁兼總經(jīng)理Ritu Favre表示：“由于全球的無線網(wǎng)絡變得越來越復雜，所以對射頻功率市場也提出了相應要求。多種調(diào)制格式、帶寬的增加和更加小巧的外形尺寸等需求要求射頻功率技術(shù)采用更加全面且系統(tǒng)級的方法。我們在設計最新的Airfast產(chǎn)品時就考慮到了這些需求的變化。”

新的AFT09VP350N產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首個專門為720 - 960 MHz頻段中的多載波GSM和多標準宏蜂窩應用而設計的48V LDMOS晶體管。當在Doherty配置中使用時，該器件只需一個晶體管包就可達到57 dBm（500W）的峰值功率，其功率容量幾乎是其他同等尺寸LDMOS解決方案的兩倍。相比之下，目前平均可達40W-60W的大功率發(fā)射機通常需要使用兩個或三個獨立封裝的器件才能達到此峰值功率水平。

在為920 - 960 MHz頻帶設計的Doherty電路中，AFT09VP350N以50 dBm（100W）平均輸出功率就達到了50％的效率，實現(xiàn)19dB以上的增益，同時符合嚴格的多載波GSM校正線性規(guī)范。飛思卡爾頗具成本效益的超模壓塑料OMNI封裝具有超低熱阻，可進一步提升效率。由于每瓦測量的器件漏源級電容量減少了50％，AFT09VP350N的瞬時信號帶寬能力可高達100 MHz。

新的Airfast系列產(chǎn)品中，處于功率和頻譜另一端的是28V AFT26HW050GS LDMOS晶體管。該產(chǎn)品專為2500-2700 MHz之間的寬瞬時寬帶微蜂窩和Metro蜂窩LTE應用而設計。與AFT09VP350N類似，在Doherty兼容的配置中，AFT26HW050GS在一個單獨封裝內(nèi)包含兩個相互匹配的獨立晶體管。在為2620-2690 MHz頻帶設計的Doherty電路中，AFT26HW050GS提供47 dBm（50W）的峰值功率，在39 dBm（8W）的平均功率時可實現(xiàn)超過15.5 dB 的Doherty增益和48％的效率。在這些條件下，該器件使用20 MHz LTE測試信號可將DPD校正到-54 dBc。針對5W-7W發(fā)射器，這個效率相對以前的飛思卡爾LDMOS解決方案，提高了七個點，也是業(yè)界目前在這個頻率中達到的最高硅片Doherty效率記錄。除了高增益和效率外，AFT26HW050GS還支持超過100 MHz的瞬時信號帶寬。此外，該器件放置在一個生產(chǎn)友好型、表面貼裝的氣腔封裝中，使器件可安裝在嵌入式模壓板上，或者通過熱和電接地陣列簡化器件安裝。

Airfast射頻功率解決方案旨在同時滿足效率提升、峰值功率和信號帶寬需求，另外還能應對降低成本的持續(xù)壓力。最新的Airfast器件帶寬比上一代產(chǎn)品增加了兩到三倍，可使OEM廠商簡化產(chǎn)品組合，降低系統(tǒng)成本并制造出寬頻帶和多制式的放大器。

該產(chǎn)品強調(diào)了AFT09VP350N中采用48V技術(shù)的成本效益，幫助OEM廠商以更少的組件創(chuàng)建下一代發(fā)射機。組件的減少加之產(chǎn)品的低熱阻塑料封裝可以使功率放大器的尺寸縮小并降低成本，從而為無線網(wǎng)絡運營商提供更小、更輕的遠程射頻頭。AFT26HW050GS還利用生產(chǎn)友好型、表面貼裝的氣腔封裝，進一步優(yōu)化了成本。此配置加上大幅提高的效率，消除了對昂貴銅板或模壓板的需求，從而減輕了重量并降低了系統(tǒng)成本。因此，無線設備可以更小、更輕、更具成本效益。

AFT09VP350N和AFT26HW050GS連同參考設計及其他支持工具計劃于2012年第二季度全面提供樣品。欲獲取樣品和價格信息，請與飛思卡爾當?shù)劁N售辦事處聯(lián)系。2012年全年將推出更多器件，涉及一系列蜂窩頻段和功率電平。