[導讀]21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation) 日前宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產品采用了最新的第八代低壓溝槽結構，實現(xiàn)了最高級別的[注1]低導通電阻和高速轉換。該系列產
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation) 日前宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產品采用了最新的第八代低壓溝槽結構，實現(xiàn)了最高級別的[注1]低導通電阻和高速轉換。該系列產品計劃于6月底投入量產。
特性
1. 采用了第八代低壓溝槽結構，實現(xiàn)了最高級別的[注1]低導通電阻
2. 實現(xiàn)了較低的內部門極電阻和較低的門極電容比(Cgd/Cgs)，有助于預防自啟動現(xiàn)象
東芝為基站和服務器推出30V電壓功率MOSFET.jpg" width="500" height="474" />
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