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[導(dǎo)讀]21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)為其抗輻射(radiation-hardened)解決方案產(chǎn)品組合增添兩款用于航天、商業(yè)航空和國防應(yīng)用的全新超低壓降(Ultra-low dropout, ULDO)線性負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器。MHL8701和MH

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)為其抗輻射(radiation-hardened)解決方案產(chǎn)品組合增添兩款用于航天、商業(yè)航空和國防應(yīng)用的全新超低壓降(Ultra-low dropout, ULDO)線性負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器。MHL8701和MHL8705調(diào)節(jié)器是其中的首批器件,帶有一個(gè)集成式單粒子效應(yīng)(SEE)過濾器,防止通常出現(xiàn)在航空和航天應(yīng)用中的重離子引起的軟錯(cuò)誤,新型調(diào)節(jié)器還可以與公司的耐輻射(radiation-tolerant) SoC和FPGA解決方案共用。

這些密封調(diào)節(jié)器具有航天或軍事等級(jí),新器件正在生產(chǎn)并付運(yùn)至一家世界領(lǐng)先的航天技術(shù)公司,用于新的太空總線架構(gòu)方案。

美高森美公司高可靠性產(chǎn)品部門市場總監(jiān)Durga Peddireddy表示:“美高森美再一次應(yīng)用其超過50年的開發(fā)高可靠性元器件的專業(yè)技術(shù),提供“業(yè)界首個(gè)”用于航天和國防應(yīng)用的產(chǎn)品。我們利用廣泛的行業(yè)知識(shí),結(jié)合不斷的產(chǎn)品和技術(shù)投資,以滿足客戶需求,并且以更快的步伐提供高可靠性元器件和系統(tǒng)解決方案,從而在這些領(lǐng)域取得成功。”

美高森美在美國馬薩諸塞州的設(shè)施最近獲得美國國防后勤局(Defense Logistics Agency, DLA)的Laboratory Suitability認(rèn)可,用于電離總劑量(TID)、增強(qiáng)低劑量輻射敏感性(ELDRS)和SEE輻射測試,符合MIL-STD-883規(guī)范。

MHL8701和MHL8705在MIL-PRF-38534認(rèn)證設(shè)施中裝配,并且通過美高森美的Hi-Rel Qualification Level (MHQLTM)項(xiàng)目進(jìn)行品質(zhì)認(rèn)證,以滿足航天和軍事要求。根據(jù)1019方法,這些器件已經(jīng)達(dá)到300 Krad TID的輻射性能,ELDRS 則達(dá)到100 Krad額定值,并根據(jù)ASTM 1192F進(jìn)行單粒子測試。

產(chǎn)品信息

MHL8701和MHL8705器件經(jīng)優(yōu)化后可在+5V或+3.3V輸入電壓下運(yùn)作,分別具有3A 和5A額定電流,并且在2A下提供400mV超低壓降,使用一個(gè)集成式SEE過濾器來防止通常發(fā)生在地面水平和空降應(yīng)用中可能由于亞原子輻射粒子造成的軟數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

主要特性:

- SEE測試達(dá)到85 megaelectron-volts (MeV),無閂鎖

- ELDRS測試達(dá)到100 Krad,供電性能 <+/- 5%

- 超低壓降電壓:400mV @ 2.0A

- 最大熱阻:3.0 degrees C/ W

- 過程中的DLA 標(biāo)準(zhǔn)微電路圖形(SMD)認(rèn)證

美高森美全新調(diào)節(jié)器非常適合與公司的航天額定耐輻射RTAX-S/SL/DSP、RTSX-SU和RT-ProASIC3 FPGA共用,新型調(diào)節(jié)器通常可以提供FPGA所需的全部內(nèi)核和I/O電壓。而且這些FPGA器件專為航天應(yīng)用而設(shè)計(jì),使用高度可靠的非易失性反熔絲和閃存技術(shù),它們通常具有高達(dá)400萬等價(jià)系統(tǒng)門和840個(gè)用戶I/O密度,為設(shè)計(jì)人員提供了靈活的可編程平臺(tái)。

一直以來,美高森美為航天和國防行業(yè)提供高可靠性元器件超過了50年,其抗輻射和耐輻射產(chǎn)品組合包括:FPGA、SoC FPGA、ASIC、POL轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電壓調(diào)節(jié)器(線性和開關(guān))、RF元器件、雙極晶體管、MOSFET和氮化鎵(GaN)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品中的大多數(shù)獲得了DLA認(rèn)證,符合MIL- PRF- 19500和MIL- PRF- 38534品質(zhì)要求。

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