Peregrine 半導(dǎo)體公司推出40 GHz射頻SOI開(kāi)關(guān)

UltraCMOS® PE42524樹(shù)立了射頻 SOI開(kāi)關(guān)在高頻性能方面的新標(biāo)準(zhǔn)，

比起現(xiàn)有的GaAs解決方案，在可靠性和性能方面具有優(yōu)勢(shì)

21ic訊 Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人，先進(jìn)的射頻解決方案的先驅(qū)，現(xiàn)在推出UltraCMOS® PE42524，這是行業(yè)中第一個(gè)工作頻率高達(dá)40 GHz 的射頻 SOI開(kāi)關(guān)。這種開(kāi)關(guān)引人注目地把Peregrine的高頻產(chǎn)品陣容擴(kuò)大到先前以砷化鎵(GaAs)技術(shù)為主的頻率。作為GaAs以外的另一種解決方案，PE42524的可靠性高，在線性度、隔離性能、過(guò)渡過(guò)程時(shí)間和靜電放電(ESD)保護(hù)性能等方面具有優(yōu)勢(shì)。由于這種開(kāi)關(guān)具有這些特性，是用于測(cè)試和測(cè)量、微波回程、雷達(dá)和軍事通信設(shè)備的理想開(kāi)關(guān)。

“隨著我們把高頻產(chǎn)品進(jìn)一步延伸到微波頻率，Peregrine證明了射頻 SOI技術(shù)的能力和優(yōu)勢(shì)。” Peregrine半導(dǎo)體高級(jí)營(yíng)銷經(jīng)理Kinana Hussain說(shuō)。“我們的UltraCMOS技術(shù)促成了我們的高頻元件，例如PE42524，達(dá)到以前人們認(rèn)為射頻SOI不可能達(dá)到的性能水平。Peregrine的產(chǎn)品發(fā)展路線圖包括其他高頻元件，已經(jīng)并將繼續(xù)在射頻 SOI方面樹(shù)立新的標(biāo)準(zhǔn)。"

Peregrine的高頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和現(xiàn)在40 GHz產(chǎn)品，是用Peregrine公司的UltraCMOS技術(shù)制造的。UltraCMOS技術(shù)是SOI技術(shù)在藍(lán)寶石基片上實(shí)現(xiàn)的專利技術(shù)。對(duì)于高頻設(shè)計(jì)，藍(lán)寶石基片具有十分重要的若干關(guān)鍵性好處。藍(lán)寶石的損耗角正切優(yōu)于CMOS十倍，優(yōu)于砷化鎵三倍。藍(lán)寶石是電阻率超高的基片，它的隔離度高，而且寄生電容最小。藍(lán)寶石基片根除了硅基片常見(jiàn)的許多耦合方面的影響，因而為射頻系統(tǒng)工程師帶來(lái)非凡的線性度和功率處理性能。

特性、包裝、價(jià)格和供貨

Peregrine的PE42524是單刀雙擲(SPDT)射頻開(kāi)關(guān)裸片，它的頻率范圍寬，從10 MHz至40 GHz。它的端口與端口之間的隔離性能極好，插入損耗低，線性度優(yōu)異。在30 GHz時(shí)，開(kāi)關(guān)的隔離性能是47分貝，插入損失為2.2分貝，在13.5 GHz時(shí)的IIP3為50 dBm。PE42524的開(kāi)關(guān)時(shí)間為225納秒，過(guò)渡過(guò)程時(shí)間很短，為840納秒，所有引腳的人體放電模型(HBM)靜電放電保護(hù)電壓高達(dá)2000伏。和砷化鎵的解決辦法不同，對(duì)于PE42524，在射頻端口，如果沒(méi)有直流電壓，不需要阻斷電容器。PE42524可以以倒裝片裸片的方式提供，它的凸塊間距為500微米，從而根除了由于邦定線長(zhǎng)度變化而引起的性能變化。

樣品、評(píng)估工具和量產(chǎn)件現(xiàn)在已經(jīng)上市。PE42524的倒裝片裸片符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，訂購(gòu)數(shù)量為1千片時(shí)的價(jià)格是每個(gè)40美元，訂購(gòu)數(shù)量為5千片時(shí)的價(jià)格是32.44美元。