Peregrine 半導(dǎo)體公司推出40 GHz射頻SOI開(kāi)關(guān)
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UltraCMOS® PE42524樹(shù)立了射頻 SOI開(kāi)關(guān)在高頻性能方面的新標(biāo)準(zhǔn),
比起現(xiàn)有的GaAs解決方案,在可靠性和性能方面具有優(yōu)勢(shì)
21ic訊 Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人,先進(jìn)的射頻解決方案的先驅(qū),現(xiàn)在推出UltraCMOS® PE42524,這是行業(yè)中第一個(gè)工作頻率高達(dá)40 GHz 的射頻 SOI開(kāi)關(guān)。這種開(kāi)關(guān)引人注目地把Peregrine的高頻產(chǎn)品陣容擴(kuò)大到先前以砷化鎵(GaAs)技術(shù)為主的頻率。作為GaAs以外的另一種解決方案,PE42524的可靠性高,在線性度、隔離性能、過(guò)渡過(guò)程時(shí)間和靜電放電(ESD)保護(hù)性能等方面具有優(yōu)勢(shì)。由于這種開(kāi)關(guān)具有這些特性,是用于測(cè)試和測(cè)量、微波回程、雷達(dá)和軍事通信設(shè)備的理想開(kāi)關(guān)。
“隨著我們把高頻產(chǎn)品進(jìn)一步延伸到微波頻率,Peregrine證明了射頻 SOI技術(shù)的能力和優(yōu)勢(shì)。” Peregrine半導(dǎo)體高級(jí)營(yíng)銷經(jīng)理Kinana Hussain說(shuō)。“我們的UltraCMOS技術(shù)促成了我們的高頻元件,例如PE42524,達(dá)到以前人們認(rèn)為射頻SOI不可能達(dá)到的性能水平。Peregrine的產(chǎn)品發(fā)展路線圖包括其他高頻元件,已經(jīng)并將繼續(xù)在射頻 SOI方面樹(shù)立新的標(biāo)準(zhǔn)。"
Peregrine的高頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和現(xiàn)在40 GHz產(chǎn)品,是用Peregrine公司的UltraCMOS技術(shù)制造的。UltraCMOS技術(shù)是SOI技術(shù)在藍(lán)寶石基片上實(shí)現(xiàn)的專利技術(shù)。對(duì)于高頻設(shè)計(jì),藍(lán)寶石基片具有十分重要的若干關(guān)鍵性好處。藍(lán)寶石的損耗角正切優(yōu)于CMOS十倍,優(yōu)于砷化鎵三倍。藍(lán)寶石是電阻率超高的基片,它的隔離度高,而且寄生電容最小。藍(lán)寶石基片根除了硅基片常見(jiàn)的許多耦合方面的影響,因而為射頻系統(tǒng)工程師帶來(lái)非凡的線性度和功率處理性能。
特性、包裝、價(jià)格和供貨
Peregrine的PE42524是單刀雙擲(SPDT)射頻開(kāi)關(guān)裸片,它的頻率范圍寬,從10 MHz至40 GHz。它的端口與端口之間的隔離性能極好,插入損耗低,線性度優(yōu)異。在30 GHz時(shí),開(kāi)關(guān)的隔離性能是47分貝,插入損失為2.2分貝,在13.5 GHz時(shí)的IIP3為50 dBm。PE42524的開(kāi)關(guān)時(shí)間為225納秒,過(guò)渡過(guò)程時(shí)間很短,為840納秒,所有引腳的人體放電模型(HBM)靜電放電保護(hù)電壓高達(dá)2000伏。和砷化鎵的解決辦法不同,對(duì)于PE42524,在射頻端口,如果沒(méi)有直流電壓,不需要阻斷電容器。PE42524可以以倒裝片裸片的方式提供,它的凸塊間距為500微米,從而根除了由于邦定線長(zhǎng)度變化而引起的性能變化。
樣品、評(píng)估工具和量產(chǎn)件現(xiàn)在已經(jīng)上市。PE42524的倒裝片裸片符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),訂購(gòu)數(shù)量為1千片時(shí)的價(jià)格是每個(gè)40美元,訂購(gòu)數(shù)量為5千片時(shí)的價(jià)格是32.44美元。
特性 |
UltraCMOS® PE42524 |
配置 |
單刀雙擲(SPDT) |
頻率范圍 |
10 MHz至40 GHz |
隔離性能好 |
· 48 dB (在 26.5 GHz時(shí)) · 39 dB (在 35 GHz時(shí)) · 33 dB (在 40 GHz時(shí)) |
線性度好 |
IIP3 為50 dBm (在13.5GHz時(shí)) |
輸入的 1dB壓縮點(diǎn) |
· 31.5 dB (在 26.5 GHz時(shí)) · 28 dB (在35 GHz時(shí)) |
插入損耗小 |
· 1.8 dB (在 26.5 GHz時(shí)) · 3.1 dB (在35 GHz時(shí)) |
靜電放電(ESD)保護(hù)額定電壓高 |
2000V(人體放電模型,所有引腳) |
開(kāi)關(guān)時(shí)間 |
225 ns |
過(guò)渡過(guò)程時(shí)間 |
840 ns |
封裝 |
倒裝片裸片 |