賽普拉斯推出帶四個串行外設接口的1Mb nvSRAM 針對需要掉電時進行高可靠性數(shù)據(jù)保存的大數(shù)據(jù)吞吐量應用

賽普拉斯半導體公司近日宣布推出一款具有四個串行外設接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數(shù)據(jù)吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設備、工業(yè)自動化、計算和網(wǎng)絡應用在掉電時，無需電池即可保存大吞吐量的數(shù)據(jù)。

四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間)器件。該nvSRAM 提供了 24MBps的隨機讀寫訪問速度，無限制的寫次數(shù)，以及20年的數(shù)據(jù)保存期。因其I/O寬度更小，其16-pin SOIC 封裝以及 24-ball BGA封裝的芯片管腳數(shù)更少，故占板空間也就更少。該器件還包括了一個可選的集成實時時鐘(RTC)，未經(jīng)校準的精度為+/- 50ppm。這款nvSRAM與競爭器件相比具有更低的功耗，工作電流為 5.8mA，睡眠模式電流為10uA。

賽普拉斯nvSRAM符合RoHS標準，可直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無需電池即可提供可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲功能。掉電時，數(shù)據(jù)會自動從SRAM傳輸?shù)皆撈骷姆且资詥卧?。供電恢復后，?shù)據(jù)可從非易失性單元恢復到SRAM。這兩個操作也可均由軟件控制。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務部總監(jiān)Sonal Chandrasekhar認為：“關鍵任務系統(tǒng)需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數(shù)據(jù)的高性能存儲器。賽普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時保護數(shù)據(jù)安全的能力，其數(shù)據(jù)吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”

賽普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器技術制造，可實現(xiàn)更高的容量、更快的訪問速度和更好的性能。對RAID系統(tǒng)、PLC、工業(yè)數(shù)據(jù)日志、計算和網(wǎng)絡系統(tǒng)、電機驅(qū)動、路由器和交換機、航空、國防系統(tǒng)，以及游戲系統(tǒng)等于需要高性能和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應用而言，nvSRAM是理想的選擇。

賽普拉斯是SONOS工藝技術的領先者，該技術已用于其旗艦產(chǎn)品PSoC®混合信號陣列、可編程時鐘和其他產(chǎn)品中。SONOS兼容標準的CMOS技術，并有諸多優(yōu)勢，例如高耐用性、低功耗和抗輻射。SONOS技術已在賽普拉斯內(nèi)部的工廠和多家代工廠中合規(guī)地采用。與其他磁基非易失性存儲技術相比，該技術在規(guī)?；涂芍圃煨苑矫嫣峁┝俗吭降慕鉀Q方案。賽普拉斯已經(jīng)發(fā)運了超過20億片采用與nvSRAM中相同SONOS工藝技術的產(chǎn)品。

供貨情況

CY14V101QS 1Mb nvSRAM目前處于樣片階段，預計于2015年三季度量產(chǎn)。

關于賽普拉斯的nvSRAM

賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線生產(chǎn)。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM、依靠電池供電的SRAM(BBSRAM)產(chǎn)品，提供快速非易失性數(shù)據(jù)存儲能力。當發(fā)生斷電的時候，數(shù)據(jù)可自動從SRAM傳輸?shù)椒且资詥卧?。加電之后，?shù)據(jù)可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。在網(wǎng)絡、工業(yè)、計算及RAID應用中，賽普拉斯的nvSRAM提供了高速數(shù)據(jù)傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數(shù)據(jù)的完整性。