Renesas 兩個功率MOSFET的HAT2210WP
HAT2210WP的主要特性如下。
(1) 低熱阻
由于使用了WPAK高熱輻射封裝，與目前SOP-8封裝的HAT2210R相比，熱阻減小了一半?？梢钥刂频妮敵鲭娏饕蔡岣吡舜蠹s50%，因此可以減少具有高電流處理能力的DC-DC變換器所需要的功率MOSFET的數(shù)目。
(2) 與SOP-8封裝的安裝面積相同，但厚度僅有它的一半(0.8 mm (最大)。
HAT2210WP需要的安裝面積與業(yè)界標準的SOP-8封裝一樣，是5.3 × 6.1 mm；但厚度大約僅是它的一半，為0.8 mm (最大)，使得DC-DC變換器可以做得更小巧。
安裝在信息設(shè)備如筆記本電腦和服務(wù)器中的存儲器、ASIC和其它芯片需要不同的驅(qū)動電壓，因此，需要使用一些DC-DC變換器。這些DC-DC變換器需要兩個功率MOSFET，分別用于高邊和低邊*2應(yīng)用。瑞薩科技目前大量生產(chǎn)的產(chǎn)品，具有兩個功率MOSFET，封裝形式是SOP-8封裝，可以滿足較小DC-DC變換器的需要。但是，各種芯片處理的數(shù)據(jù)量越來越大，需要可以處理更大電流、安裝更多功率MOSFET的DC-DC變換器。
在這樣的背景下，瑞薩科技開發(fā)出了新型HAT2210WP，它使用WPAK高熱輻射封裝，可以提高可以控制的電流量，實現(xiàn)更高的DC-DC變換器電流容量，并減少安裝的功率MOSFET的數(shù)目。
HAT2210WP安裝在印刷電路板（40 × 40 × 1.6 mm玻璃環(huán)氧板單個功率MOSFET操作）上時的熱阻，從瑞薩科技目前SOP-8封裝產(chǎn)品的110ºC/W，下降了一半，達到55ºC/W。因此，可以控制的輸出電流提高了50%多，從SOP-8產(chǎn)品的3 A，提高到了5 A。當(dāng)ASIC和其它芯片的驅(qū)動電流超過3 A，進入4 A－ 5 A范圍時，單個HAT2210WP就可以控制5 A的輸出電流，而先前需要兩個SOP-8封裝的具有兩個功率MOSFET的產(chǎn)品，因此，HAT2210WP使得DC-DC變換器可以做得更小。
而且，由于安裝了高邊和低邊功率MOSFET，使用分裂漏結(jié)構(gòu)。使用瑞薩科技最新的0.35 μm工藝的第8代功率MOSFET，具有業(yè)界的最高性能，設(shè)計時進行了優(yōu)化，使高邊MOSFET具有高開關(guān)速度、低邊MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，因此可以實現(xiàn)很高的效率，從而滿足DC-DC變換器低壓輸出的需要。
在低邊MOSFET中有一個肖特基勢壘二極管，減小了MOSFET和肖特基勢壘二極管之間的接線電感*3。在DC-DC變換器死區(qū)時間過程中，可以加速肖特基勢壘二極管的換向，從而消除效率惡化，并減小噪聲。
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