Infineon 推出全新IHM/IHV B功率模塊

近日，在紐倫堡舉行的電子功率器件、智能傳送、電源質(zhì)量博覽會（PCIM）上，英飛凌科技公司（FSE/NYSE: IFX）首次展出IHM/IHV B系列的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。

運用這個全新的模塊，用戶可設(shè)計出能夠在嚴(yán)酷的環(huán)境下正常工作，全面滿足大負(fù)荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器。全新模塊擴展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規(guī)格，實現(xiàn)了熱阻性能的改善和負(fù)荷循環(huán)能力的提高，并將運行溫度提高至+150°C。

與同等尺寸的傳統(tǒng)變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設(shè)計的變頻器的功率可提高50%。同時，因為IHM/IHV B模塊優(yōu)良的熱性能，運用他設(shè)計的變頻器的輸出電流在典型的工礦下可以使得輸出電流的能力提高50% 。這種全新模塊的最大運行溫度也從先前+125°C上升至+150°C。英飛凌還將這種模塊的最小貯存溫度從先前-40°C降低至-55°C。

英飛凌已經(jīng)交付了100多萬套IHM-A模塊，市場份額高達(dá)30%左右。IHM/IHV B模塊與成熟IHM-A系列產(chǎn)品完全兼容，能夠讓用戶在不改變產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的情況下，進(jìn)行更新?lián)Q代。

除改進(jìn)熱阻性能外，全新模塊還可滿足一些要求非常苛刻的應(yīng)用對耐用性與可靠性的要求。在啟動與停止階段，這些牽引驅(qū)動裝置的溫度有很大的波動。

HM/IHV B模塊的電流能夠做到3,600 A以上，電壓級別包括：1200 V、1700 V和3300 V。1200 V模塊中使用的晶體管基于全新英飛凌IGBT4技術(shù)。1700 V和3300 V模塊中的晶體管使用基于英飛凌TrenchStop®/電場截止工藝的IGBT3技術(shù)，與先前的模塊相比，大幅度削減了正向?qū)妷骸?/P>

這些新型模塊符合RoHS要求，并滿足NFF16-101和16-102的防火要求。它們都在德國Warstein生產(chǎn)，IGBT和二極管芯片在奧地利菲拉赫制造。

供貨情況

額定電流為1,500A的兩款3,300V IHM/IHV B模塊——FZ1500R33HL3（帶有IGBT3家族的軟性IGBT） 和FZ1500R33HE3 （運用高速IGBT3 芯片），現(xiàn)已開始提供樣片。

批量生產(chǎn)預(yù)計于2006年第三季度開始。