新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二極管（Vishay）

時(shí)間：2008-12-09 20:50:27

關(guān)鍵字： Vishay 肖特基二極管功率MOSFET BSP

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時(shí)具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進(jìn)行了完美結(jié)合。

當(dāng)便攜式電子設(shè)備變得越來(lái)越小時(shí)，元件的大小變得至關(guān)重要。憑借超小的占位面積，Vishay的SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封裝的器件小 36%，同時(shí)具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此番將兩個(gè)元件整合到一個(gè)封裝中不僅節(jié)省了空間，而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓，從而降低了電平位移應(yīng)用中的壓降。

SiB800EDK 具有0.960Ω（1.5V VGS 時(shí)）～0.225Ω（4.5V VGS 時(shí)）的低導(dǎo)通電阻范圍。1.5 V 時(shí)的低導(dǎo)通電阻額定值可使 MOSFET 與低電平時(shí)的信號(hào)一同使用。

該新器件的典型應(yīng)用將包括手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備的 I2C 接口與升壓轉(zhuǎn)換器中的電平位移轉(zhuǎn)換。

SiB800EDK 具有 ESD 保護(hù)，并且 100% 無(wú)鉛（Pb），無(wú)鹵素，以及符合 RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。目前，新型 SiB800EDK 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。