意法半導體近日推出一款全新功率 MOSFET產(chǎn)品，為設計工程師帶來更多選擇。新產(chǎn)品 STW77N65M5采用意法半導體的超高能效MDmesh™ V制造工藝和工業(yè)標準TO-247 封裝，是業(yè)內(nèi)通態(tài)電阻最低的650V MOSFET產(chǎn)品。
意法半導體功率MOSFET產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“MDmesh V 系列產(chǎn)品整合了意法半導體專屬的第五代超結(jié)技術，和經(jīng)過應用驗證的 PowerMESH™ 水平布局設計，產(chǎn)品性能優(yōu)于同類競爭產(chǎn)品。無論采用何種封裝，業(yè)界最低的單位芯片面積RDS(ON)都能提供能效優(yōu)勢。設計人員使用很少數(shù)量的MDmesh V器件即可替代多路并聯(lián)的普通MOSFET網(wǎng)絡，提高設計性能，降低總體尺寸?！?/p>
這款新器件是STW77N65M5，通態(tài)電阻RDS(ON)為38mΩ，采用TO-247封裝。意法半導體計劃在2010年推出采用Max247封裝的22mΩRDS(ON)的STY112N65M5。在今年初的MDmesh V超結(jié)MOSFET技術發(fā)布會上，意法半導體公布開發(fā)藍圖時曾介紹過這兩款產(chǎn)品。STW77N65M5的最大輸出電流額定69A，現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
與常規(guī)MOSFET產(chǎn)品和競爭的超結(jié)器件相比，意法半導體的MDmesh V技術的單位芯片面積通態(tài)電阻最低。更低的損耗給設計帶來很多好處，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作溫度，最終可提高目標應用的可靠性，如個人電腦和服務器的電源、太陽能轉(zhuǎn)換器、電焊電源和不間斷電源設備，導通損耗是影響這些應用能效的要素之一。
在強調(diào)超低通態(tài)損耗的同時，這些器件還實現(xiàn)了低開關損耗，使各種應用能夠在不同的工作條件下提高總體能效。MDmesh V功率MOSFET采用主流的工業(yè)標準的封裝，包括 TO-220、TO-220FP、I2PAK、D2PAK、DPAK和IPAK。
TO-247封裝的STW77N65M5現(xiàn)接受生產(chǎn)訂單。
下載文檔
