新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET（Vishay）

時(shí)間：2011-01-22 02:19:24

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。

SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分別具有16mΩ、26mΩ、32mΩ和95mΩ的超低導(dǎo)通電阻。最接近的競爭器件是具有8V柵源電壓等級(jí)的20V P溝道功率MOSFET，在4.5V、1.8V和1.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻分別為25.8mΩ、41.1mΩ和63.2mΩ，分別比SiA427DJ高36%、37%和47%。與采用標(biāo)準(zhǔn)SC-70封裝的典型器件相比，在占用相同PCB面積的情況下，PowerPAK SC 70在相同環(huán)境條件下可處理的功率耗散多40%。

SiA427DJ所采用的超小尺寸PowerPAK SC-70封裝為小型手持式電子設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化。新器件可用做手機(jī)、智能手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、電子書和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。

對(duì)于這些設(shè)備而言，SiA427DJ更低的導(dǎo)通電阻意味著可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗，從而延長兩次充電之間的電池壽命。器件在1.2V下的低導(dǎo)通電阻非常適合低總線電壓。當(dāng)電源線電壓波動(dòng)時(shí)，使用1.2V電源總線的應(yīng)用也能夠享受到MOSFET在1.5V和1.8V下低導(dǎo)通電阻的好處，讓SiA427DJ能夠發(fā)揮最佳的整體節(jié)能效果。

MOSFET經(jīng)過了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC。
新款SiA427DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。