飛兆推可替代LLC、單開關(guān)準(zhǔn)諧振反激式拓?fù)涞碾p管反激式解決方案

21ic訊 一體型 (All-In-One, AIO) 應(yīng)用設(shè)備電源的設(shè)計人員一直面對對空間有限、滿足世界各地能源法規(guī)要求，以及提供易于設(shè)計之解決方案的挑戰(zhàn)。

為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 推出一款采用mWSaver™技術(shù)的雙管反激式解決方案。

用于AIO設(shè)備的傳統(tǒng)電源拓?fù)浣鉀Q方案包括LLC和單開關(guān)準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式拓?fù)?。要在易于設(shè)計性、不同負(fù)載水平的功率損耗，以及效率三方面取得平衡時，每種拓?fù)涠几饔衅鋬?yōu)劣之處。對于AIO設(shè)備的功率范圍，LLC提供最佳的總體效率，優(yōu)于雙管QR和單開關(guān)QR反激式轉(zhuǎn)換器。不過，由于LLC變壓器的設(shè)計很難，因此在三種拓?fù)渲芯哂凶罡叩妮p負(fù)載功耗。單開關(guān)QR反激式轉(zhuǎn)換器的效率最低，但是它們易于設(shè)計且在輕負(fù)載下具有低功耗。

飛兆半導(dǎo)體的雙管QR反激式拓?fù)浜痛渭壎送秸鞣桨甘怯糜贏IO應(yīng)用設(shè)備的理想解決方案，能夠提供良好的總體效率，降低輕負(fù)載功耗，而且易于設(shè)計。

飛兆半導(dǎo)體提供的AIO解決方案非常適合75W~230W功率范圍應(yīng)用，包括FAN6920MR集成式臨界導(dǎo)通模式PFC和準(zhǔn)諧振電流模式PWM控制器產(chǎn)品；FAN7382柵極驅(qū)動器；以及用于反激式拓?fù)浜驼だm(xù)流整流的FAN6204次級端同步整流(SR)控制器。而且，這些器件都具有同級最佳的無/輕負(fù)載功耗，能夠?qū)崿F(xiàn)達(dá)到2013 ErP標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計，并可省去LLC解決方案所需的附加電路。

此外，這些器件采用了mWSaver™技術(shù)，可為AIO解決方案提供最低的待機(jī)輸入功率。準(zhǔn)諧振控制技術(shù)既能夠減少緩沖器和泄漏電感的損耗，同時也可改進(jìn)散熱性能。此外，它更降低了SR MOSFET的Vds以提高效率，并實現(xiàn)更小的電路板尺寸。其內(nèi)置兩級電平PFC輸出提升了低壓輸入的效率。

飛兆半導(dǎo)體增添高端和低端柵極驅(qū)動IC產(chǎn)品FAN7382，能夠驅(qū)動電壓高達(dá)600V的高壓MOSFET器件，大大豐富了公司的產(chǎn)品系列。該器件可在高dv/dt噪聲環(huán)境下實現(xiàn)高端驅(qū)動器的穩(wěn)定運(yùn)作。

FAN6920MR結(jié)合了一個功率因數(shù)校正 (PFC) 控制器和一個準(zhǔn)諧振PWM控制器，實現(xiàn)了使用更少外部組件的高成本效益設(shè)計。在PFC部分，該器件使用受控導(dǎo)通時間技術(shù)以提供穩(wěn)定的直流輸出電壓，實現(xiàn)正常的功率因數(shù)校正。FAN6920MR使用了創(chuàng)新的總體諧波失真 (THD) 優(yōu)化器，通過減小過零期間的輸入電流失真來改善THD性能。在PWM控制部分，F(xiàn)AN6920MR提供了數(shù)項功能以提高電源系統(tǒng)性能，其中包括：能夠降低開關(guān)頻率的最多第12個谷底周期的擴(kuò)展谷底檢測功能、更高的輕負(fù)載效率、綠色工作模式、內(nèi)部10ms軟啟動和高/低線路超功率補(bǔ)償功能。

飛兆半導(dǎo)體FAN6204器件采用專有的線性預(yù)測時序控制技術(shù)，不受限于SR MOSFET的導(dǎo)通阻抗RDS(ON)，適合于固定頻率或準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式轉(zhuǎn)換器，以及不連續(xù) (DCM) 或連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 運(yùn)作。這項技術(shù)包含無電流檢測電路的簡單控制方法，能夠提供更好的抗噪能力。該器件采用PWM頻率跟蹤和次級端繞組電壓檢測技術(shù)，可在固定頻率和可變頻率系統(tǒng)中工作，因而適用于反激式和正激續(xù)流拓?fù)洹AN6204還具有電流超低的綠色工作模式 (典型值1.1mA)，這種內(nèi)部綠色模式可以提供更低的空載功耗和更高的輕載效率?！　?/p>

FAN7382能夠驅(qū)動飛兆半導(dǎo)體的超級結(jié)SupreMOS® 和SuperFET® MOSFET器件，其高壓 (高達(dá)600V)工藝和共模噪聲消除技術(shù)在高dv/dt噪聲環(huán)境下實現(xiàn)了穩(wěn)定的運(yùn)作。該器件具備先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)換電路，允許高端柵極驅(qū)動器工作于波動高達(dá)-9.8 V (典型值) (@VBS = 15V)的負(fù)VS范圍。輸入邏輯電平兼容標(biāo)準(zhǔn)TTL系列邏輯柵極，兩個通道上的欠壓鎖定(UVLO)電路可在VCC和VBS低于特定閾值電壓的情況下防止出現(xiàn)故障。

飛兆半導(dǎo)體通過先進(jìn)的硅技術(shù)和封裝選項來提供較小的尺寸和更高的性能，推動工程師實現(xiàn)設(shè)計創(chuàng)新。這些用于AIO PC應(yīng)用設(shè)備的雙開關(guān)反激式解決方案采用mWSaver™技術(shù)，可讓工程師滿足現(xiàn)今嚴(yán)苛的節(jié)能和性能要求。