Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。

Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設備中的負載切換，包括智能手機、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動計算設備。在這些應用中，MOSFET的0.357mm超薄身材能夠節(jié)約寶貴的電路板空間，實現(xiàn)更小、更薄的移動產(chǎn)品。

今天發(fā)布的器件在1.5V下具有低導通電阻，而且在柵極驅動僅有1.2V的情況下也能導通。這樣MOSFET能夠使用手持設備中常見的低壓電源軌，省卻額外的電阻和用于P溝道負載切換的電壓源，從而簡化設計，并能在N溝道負載切換中使兩次充電之間的電池工作時間更長。

N溝道Si8802DB在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的導通電阻為54mΩ、60mΩ、68mΩ、86mΩ和135mΩ。器件封裝的外形尺寸比僅次于它的最小器件小36%，在1.8V和1.5V下的導通電阻分別低5.5%和7.5%。

P溝道Si8805EDB在4.5V、2.5V、1.5V和1.2V下的導通電阻為68mΩ、88mΩ、155mΩ和290mΩ。Si8805EDB所占的電路板空間比僅次于它的最小P溝道器件少29%，在4.5V、2.5V下的導通電阻分別低17%和8%。Si8802DB和Si8805EDB的更低導通電阻能夠將負載切換過程中的電壓降最小化，防止出現(xiàn)有害的欠壓閉鎖。

器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，及RoHS指令2002/95/EC。Si8805EDB的ESD保護為1500V。

新款Si8802DB和Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。