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[導讀]21ic訊 瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,該器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款

21ic訊 瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,該器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術,有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比,其功耗大約降低了40%。

最近,為了促進環(huán)境保護,很多客戶對高效能電源電路的需求日益增長??照{(diào)、通信基站、PC服務器和太陽能陣列等使用電源轉(zhuǎn)換電路或逆變電路的產(chǎn)品,對更高效的電源轉(zhuǎn)換有著特別強勁的需求。因此,這些電源轉(zhuǎn)換電路中所用的二極管需要提供更快的轉(zhuǎn)換速度,并可以低壓工作。于是,瑞薩開發(fā)了這款全新SiC SBD來滿足上述需求。

RJS6005TDPP的主要特性:
• 更快的轉(zhuǎn)換速度,其損耗較之現(xiàn)有產(chǎn)品降低了40%
全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢復時間(注2)為15納秒(標準值:測量條件IF = 15 A,di/dt = 300 A/µs),與現(xiàn)有瑞薩硅電子產(chǎn)品相比,其速度快了大約40%。這可以實現(xiàn)更快的轉(zhuǎn)換速度,與瑞薩硅基產(chǎn)品相比降低了大約40%的功耗。
此外,當溫度升高時,反向恢復時間不會降低,從而在高溫環(huán)境下工作時可實現(xiàn)始終如一的低轉(zhuǎn)換損耗。
• (2) 低壓工作
這款全新SiC-SBD的額定電壓(正向降壓,VF)僅1.5伏(V),低于現(xiàn)有的硅快速觸發(fā)二極管產(chǎn)品的額定電壓。此外,該SiC-SBD的溫度依賴性較小,可確保獲得穩(wěn)定的正向電壓——即使在高溫條件下。這意味著可使用更緊湊的散熱設計,以降低成本,并減小產(chǎn)品體積。

這款全新RJS6005TDPP SiC-SBD應用相當于工業(yè)標準的TO-220封裝,并可實現(xiàn)引腳兼容。這意味著RJS6005TDPP SiC SBD可輕松地用于替代現(xiàn)有印刷電路板上傳統(tǒng)的硅二極管。

瑞薩電子全新功率器件的產(chǎn)品陣容頗為強大,電流從3A至30 A不等,額定峰值電壓為600 V,這些功率器件專用于滿足空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)對高效能的需求,同時,計劃推出額定峰值電壓為1200 V的產(chǎn)品系列。瑞薩努力為客戶提供結合MCU和模擬及功率器件的整體解決方案,矢志成為領先的功率器件供應商。瑞薩計劃增強套件解決方案和復合半導體器件,以全新高壓SiC-SBD功率器件為核心,并輔以外圍電源控制IC、高性能IGBT、高壓超結MOSFET和光電耦合器。

瑞薩全新RJS6005TDPP SiC SBD的樣品現(xiàn)已上市,單價為5美元。瑞薩計劃在2012年3月開始批量生產(chǎn),預計在2012年8月的月產(chǎn)量達到10萬件。

• (注1)碳化硅(SiC):
這種材料在熱導率、允許的工作溫度、輻射暴露及絕緣擊穿場強等特性上優(yōu)于硅,具有用于低損耗功率器件的巨大潛力。
• (注2)反向恢復時間:
當二極管在規(guī)定的正向電流已流過后從導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換至關閉狀態(tài),由于在結中積累了少量載流子,因而將存在反向電流。反向恢復時間表示在切換至關閉狀態(tài)后恢復到規(guī)定電流值所需的時間。

RJS6005TDPP SiC SBD的產(chǎn)品規(guī)格
1. RJS6005TDPP的規(guī)格
• 反向峰值電壓(VRM):600 V
• 平均整流電流(Io):15 A
• 正向壓降(VF):1.5 V
• 反向恢復時間(trr):標準15 ns(ID = 10 A,VGSS = 10 V)
• 額定通道溫度(Tch):+150 ℃
• 封裝:TO-220,全封

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