科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破！

科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效

碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司（Nasdaq:CREE）將重新界定大功率應用的性能和能效，推出全新產(chǎn)品系列—50A碳化硅功率器件。該產(chǎn)品系列不僅包括業(yè)界首款1700VZ-FET™碳化硅MOSFET器件，還包括1200VZ-FET™碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二極管，能夠提供創(chuàng)紀錄的能效以及比傳統(tǒng)技術更低的擁有成本，開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式，針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設備以及電機驅動器等大功率模組應用進行設計。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠為系統(tǒng)擁有成本設定新的標準。

科銳副總裁兼功率與射頻總經(jīng)理CengizBalkas表示：“正是科銳通過不斷的創(chuàng)新，以及科銳在碳化硅領域獨創(chuàng)的材料技術、晶圓片工藝和器件設計，才使得這樣技術突破得以實現(xiàn)。大尺寸的芯片能夠實現(xiàn)更多的優(yōu)勢，使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應用中應用，從而能夠取代在大功率、高電壓應用領域中的低效傳統(tǒng)硅IGBT器件。”該系列高額定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術屢創(chuàng)第一的傳統(tǒng)，如業(yè)界第一款1200V碳化硅MOSFET器件以及第一個量產(chǎn)1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

科銳全新產(chǎn)品系列50A碳化硅器件包括40mΩ1700VMOSFET器件、25mΩ1200VMOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V和50A/650V肖特基二極管。該產(chǎn)品系列現(xiàn)已提供樣品及基礎數(shù)據(jù)表，預計2012年秋實現(xiàn)量產(chǎn)。