21ic訊 羅姆株式會社開發(fā)出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。
本產品融合了羅姆獨創(chuàng)的BiCDMOS技術與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術，作為內置了絕緣元件的柵極驅動器，是業(yè)界最小※的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護功能和品質要求，可減少設計時的工作量。
不僅如此，還支持作為新一代功率半導體備受期待的SiC（Silicon carbide：碳化硅）的功率MOSFET的高速開關，非常有助于實現(xiàn)更加高效、更加低功耗的新一代電動汽車。
生產基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國），預計從2012年6月份開始銷售樣品（樣品價格：1,000日元），從 2012年9月份開始以月產1萬個的規(guī)模投入量產。
※ 根據羅姆的調查（截至2012年5月22日）
近年來，隨著EV和HEV的不斷普及，為了進一步提高性能，對動力單元的逆變器電路小型化的要求高漲。一方面，一般每個車載用逆變器內置6個柵極驅動器，為了實現(xiàn)逆變器電路的小型化，柵極驅動器的小型化勢在必行。此外，在車載特有的苛刻的驅動環(huán)境中，為實現(xiàn)確保安全性的逆變器電路，不僅需要各種保護功能，為了防止駕駛員觸電，作為絕緣元件必須配備光耦等外置零件。在這種情況下，對于內置絕緣元件、并且小型的柵極驅動器的需求日益高漲。
另一方面，有望內置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆變器電路時，解決其高速開關性能所導致的噪音也已成為重大課題。
此次羅姆采用獨創(chuàng)的微細加工技術，開發(fā)出片上變壓器工藝，進而成功開發(fā)出小型并且內置了絕緣元件的柵極驅動器。無需外置零件，同時通過采用小型封裝，與傳統(tǒng)產品相比，安裝面積減少了約50％。不僅如此，由于內置車載逆變器電路所需的全部保護功能，不僅有助于實現(xiàn)逆變器的小型化，還非常有助于減輕設計負擔。
另外，針對逆變器電路中內置SiC元件、模塊時的噪音，通過與引以為豪的“業(yè)界最尖端”的羅姆自產SiC元件、模塊相結合進行開發(fā)，以最佳的電路設計成功解決了這個問題，從而成為業(yè)界唯一支持SiC的內置絕緣元件的柵極驅動器。
羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位，于2012年3月世界首家開始了“全SiC”功率模塊的量產。今后，羅姆繼續(xù)推進最大限度發(fā)揮SiC特性的柵極驅動器的開發(fā)，同時，還將推進SiC-IPM（智能功率模塊）等的開發(fā)，不斷完善SiC相關產品的陣容。[!--empirenews.page--]
＜特點＞
1） 通過羅姆獨創(chuàng)的無鐵芯變壓器技術，內置2,500Vrms絕緣元件
2） 小型封裝
與傳統(tǒng)產品相比，SSOP-B20W（ 6.5mm×8.1mm H＝Max 2.01mm）將安裝面積減少了50％以上
3） 通過內置所有的保護功能，實現(xiàn)安全設計
內置了車載逆變器電路所要求的全部保護功能：米勒鉗位功能、故障輸出功能、低電壓時誤動作防止功能、熱保護功能、短路保護功能、短路保護時軟關斷功能。
《主要規(guī)格》
4） 還支持SiC的高速開關
業(yè)界唯一支持SiC元件電路的產品。羅姆生產的SiC可以在最大800V、400A輸出狀態(tài)下確保穩(wěn)定驅動。
＜術語解說＞
・IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的簡稱）
絕緣柵雙極晶體管。在柵極構建了MOSFET的雙極晶體管。
・MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱)
金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最被普遍使用的結構。作為開關元件使用。
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