羅姆開(kāi)發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

21ic訊 羅姆面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出了功率MOSFET。

新系列的產(chǎn)品陣容為耐壓30V的共16種產(chǎn)品。羅姆獨(dú)家的高效特性，有助于各種設(shè)備的DC/DC電源電路實(shí)現(xiàn)更低功耗。另外，根據(jù)不同用途提供3種小型封裝，可減少安裝面積，更加節(jié)省空間。

關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆的總部（日本京都市），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國(guó)），從2012年4月開(kāi)始出售樣品（樣品價(jià)格30～50日元/個(gè)），從5月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。

近年來(lái)，隨著服務(wù)器和筆記本電腦等的高性能化發(fā)展，CPU等的功耗不斷增加，工作電壓越發(fā)低電壓化，設(shè)備的電源電路的溫升和電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間減少已成為很大問(wèn)題。在這種情況下，在同期整流方式降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器等各種電源電路中內(nèi)置功率MOSFET，使之承擔(dān)與提高電源的電力轉(zhuǎn)換效率直接相關(guān)的重要作用。為了實(shí)現(xiàn)高效低損耗的功率MOSFET，降低導(dǎo)通電阻和柵極容量是非常重要的，然而權(quán)衡兩者的關(guān)系后，往往很難同時(shí)兼顧。

新系列產(chǎn)品，除了進(jìn)一步微細(xì)化，采用羅姆獨(dú)家的低容量構(gòu)造和新的“溝槽式場(chǎng)板結(jié)構(gòu)”，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低柵極容量與低導(dǎo)通電阻。作為DC/DC轉(zhuǎn)換器用功率MOSFET的性能指數(shù)所使用的“FOM”與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比降低了50％，達(dá)到了業(yè)界頂級(jí)的高效性。由此，不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊（High Side）的開(kāi)關(guān)損耗，而且降低了低邊（Low Side）的導(dǎo)通損耗，可大大提高電路整體的效率。另外，能夠在高頻下進(jìn)行同期整流動(dòng)作，使外圍部件的小型化成為可能。

此外，本產(chǎn)品為了確保在同期整流電路中的性能，針對(duì)Rg（柵極電阻）、UIS（L負(fù)載雪崩耐量）實(shí)施了100%試驗(yàn)，在質(zhì)量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨(dú)創(chuàng)的先進(jìn)工藝加工技術(shù)，不斷推進(jìn)設(shè)想到客戶需求的晶體管產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

＜特點(diǎn)＞
1） 低導(dǎo)通電阻、低容量
進(jìn)一步微細(xì)化，同時(shí)，采用羅姆獨(dú)家的低容量構(gòu)造和新的“溝槽式場(chǎng)板結(jié)構(gòu)”，實(shí)現(xiàn)了低容量與低導(dǎo)通電阻兼?zhèn)涞脑?。與羅姆傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，表示功率MOSFET的性能指數(shù)的“FOM”數(shù)值可降低50％。

2） 實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的高效率
在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET，可大大降低電力損耗，因此有助于設(shè)備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越，使外圍部件的小型化成為可能。

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3） 采用小型封裝，有助于更加節(jié)省空間，產(chǎn)品陣容中還包括復(fù)合封裝
根據(jù)不同用途，提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝面積減少了65%，為節(jié)省空間做出巨大貢獻(xiàn)。而且，產(chǎn)品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊（High Side）用MOSFET與低邊（Low Side）用MOSFET復(fù)合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝面積減小，而且還可有助于減少安裝次數(shù)。

＜規(guī)格＞

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
・DC/DC轉(zhuǎn)換器
將直流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓的電源電路。例如，將服務(wù)器和電腦等設(shè)備內(nèi)部的12V標(biāo)準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換為使微處理器和存儲(chǔ)器等IC工作的各種電壓（5V～0.9V等）。

・FOM（Figure of merit）
表示功率MOSFET性能的指數(shù)，以Ron×Qgd的數(shù)值表示。數(shù)值越小越優(yōu)異。