Vishay日本展出最新的領(lǐng)先半導(dǎo)體和無源電子元件

21IC訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，將參加7月11日至13日日本Tokyo Big Sight舉行的Techno-Frontier 2012，在專業(yè)的功率系統(tǒng)展覽Power System Japan的6D-210展位展出其最新的半導(dǎo)體和無源電子元件。為紀(jì)念Felix Zandman創(chuàng)辦Vishay 50周年，Vishay將展示其產(chǎn)品如何幫助工程師滿足在各種各樣應(yīng)用中對節(jié)省空間和提高效率的特定需求。

Vishay在Techno-Frontier 2012展出的產(chǎn)品包括：

電阻：Vishay將展出具有高功率密度和能在+275℃高溫的惡劣環(huán)境下工作的Power Metal Strip®電阻，以及用于功率計和電池管理應(yīng)用的高電流Power Metal Strip分流電阻。觀眾在展會上還會看到適用于風(fēng)電機組的不銹鋼剎車電阻，用于汽車、工業(yè)和電信應(yīng)用的圓柱形薄膜MELF電阻。

電感器：對于各種最終產(chǎn)品中的電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和噪聲濾波應(yīng)用，Vishay將展示最新的SMD電感器，以及高溫、高電流通孔器件。

電容器：Vishay的MICROTAN®固鉭片式電容器將在展會上亮相，此外還有用于中功率電子產(chǎn)品的小尺寸DC-link聚丙烯薄膜電容器。對于核磁共振診斷設(shè)備，公司將展出無磁多層陶瓷片式電容器(MLCC)。

二極管：重點產(chǎn)品將包括用于汽車應(yīng)用的整流器和瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)，以及具有極低正向電壓降和低外形封裝，可用于光伏太陽能電池旁路保護的45V TMBS®系列整流器。

MOSFET：TrenchFET® Gen IV功率MOSFET將出現(xiàn)在展會上，這種MOSFET的導(dǎo)通電阻只有前一代20V～30V器件的一半。另一個看點是E系列功率MOSFET，其導(dǎo)通電阻比其他600V～650V器件低30%。

功率IC：對于負(fù)載點應(yīng)用，Vishay將提供高效同步降壓穩(wěn)壓器和microBUCK®穩(wěn)壓器，用于電壓穩(wěn)壓器(VR)的高頻、高電流的DrMOS集成式功率級可在服務(wù)器、桌面電腦、圖形卡和其他產(chǎn)品中能夠發(fā)揮節(jié)省空間的功效。

光電子產(chǎn)品：特色產(chǎn)品將包括用于3D電視主動式眼鏡的表面貼裝紅外接收器；業(yè)內(nèi)首款把信號探測和處理集成到單個元件內(nèi)的遙控編碼學(xué)習(xí)IC；具有業(yè)內(nèi)0.8mm業(yè)內(nèi)最低高度的全集成式接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器。超高亮度的超薄ChipLED將出現(xiàn)在展會上，以及業(yè)內(nèi)首款采用表面貼裝封裝，可用于太陽能、風(fēng)能機組裝置的符合CAT IV的高壓隔離光耦。