Vishay Siliconix 推出業(yè)內(nèi)率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET

時(shí)間：2013-01-09 13:29:58

關(guān)鍵字： POWER Vishay 封裝功率MOSFET

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[導(dǎo)讀]新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技術(shù)，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)83mΩ的低導(dǎo)通電阻日前，Vishay Intertechnology宣布，推

新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技術(shù)，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)83mΩ的低導(dǎo)通電阻

日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺寸、熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導(dǎo)通電阻分別小于200mΩ和100mΩ。

今天推出的MOSFET適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率DC/AC逆變器，以及電信磚式電源、負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用和便攜式設(shè)備中的LED照明等小型DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)側(cè)開關(guān)。對(duì)于設(shè)計(jì)者來說，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，其低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。另外，MOSFET可在4.5V下導(dǎo)通，簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)。

在導(dǎo)通電阻比尺寸更重要的應(yīng)用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為83mΩ和130mΩ，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積在10V和4.5V下分別為540mΩ-nC和455mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中評(píng)價(jià)MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對(duì)于尺寸大小更重要的應(yīng)用，1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為185mΩ和310 mΩ，在10V、4.5V下的FOM為611mΩ-nC和558mΩ-nC。

SiB456DK和SiA416DJ進(jìn)行了100%的Rg和UIS測(cè)試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。